Yeriniz siyahıda deyilsə, aşağıdakılardan birini seçin:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

Yeriniz siyahıda deyilsə, aşağıdakılardan birini seçin:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. Ev
  2. Məhsullar
  3. DRAM
  4. DDR3
  5. K4B4G1646E-BCMA

Samsung Semiconductor - K4B4G1646E-BCMA

KEY Part #: K7359700

[15107ədəd Stok]

    Hissə nömrəsi:
    K4B4G1646E-BCMA
    İstehsalçı:
    Samsung Semiconductor
    Ətraflı Təsviri:
    4 Gb 512M x 8 1866 Mbps 1.5 V 0 ~ 85 °C 96FBGA Mass Production.
    Manufacturer's standard lead time:
    Anbarda
    Raf ömrü:
    Bir il
    Chip From:
    Honq Konq
    RoHS:
    Ödəniş üsulu:
    Göndərmə yolu:
    Ailə Kateqoriyalarları:
    KEY Componentlər Co, LTD məhsul kateqoriyalarını təklif edən Elektron komponentlər distribyutorudur: HBM Flarebolt, SLC Nand, GDDR5, LPDDR5, GDDR6, LPDDR4, HBM Aquabolt and DDR3 ...
    Rəqabətli üstünlük:
    Samsung Semiconductor K4B4G1646E-BCMA elektron komponentlərində ixtisaslaşmışıq. K4B4G1646E-BCMA sifarişdən sonra 24 saat ərzində göndərilə bilər. K4B4G1646E-BCMA üçün hər hansı bir tələbiniz varsa, buraya kotirovka üçün bir sorğu göndərin və ya bizə bir e-poçt göndərin: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    K4B4G1646E-BCMA Məhsul keyfiyyətləri

    Hissə nömrəsi : K4B4G1646E-BCMA
    İstehsalçı : Samsung Semiconductor
    Təsvir : 4 Gb 512M x 8 1866 Mbps 1.5 V 0 ~ 85 °C 96FBGA Mass Production
    Seriya : DDR3
    sıxlıq : 4 Gb
    Org. : 512M x 8
    sürət : 1866 Mbps
    voltaj : 1.5 V
    Temp. : 0 ~ 85 °C
    Paket : 96FBGA
    Product Status : Mass Production

    Son xəbərlər

    Samsung Memory Solutions for Automotive
    Samsung Launches Industry’s First 12Gb LPDDR4 DRAM
    Samsung wins 46 CES 2020 Innovation Awards for Outstanding Design and Engineering
    5G and Memory - from Connected Thinking to Connected Living
    Evolving Mobile Solutions: Samsung at MWC 2018
    An Exclusive Look Inside Samsung’s Memory Exhibit at MWC
    Autonomous Driving and the Quest for Safety
    Samsung Enhances Functional Safety to its Automotive Semiconductors with ISO 26262 Certification
    Samsung Z-SSD SZ985
    Samsung Now Mass Producing Industry’s Most Advanced 4Gb DDR3, Using 20 Nanometer Process Technology
    High Bandwidth Memory is Catching on for Data-intensive Computing
    [Video] 5G memory solutions : 5G. All in the Memory.
    Maraqlı ola bilərsiniz
    • M378A1K43BB1-CPB

      Samsung Semiconductor

      DDR4 UDIMM 8 GB 1R x 8 2133 Mbps 1.2 V 288 (1G x 8) x 8 EOL announced.

    • M378A1K43BB2-CRC

      Samsung Semiconductor

      DDR4 UDIMM 8 GB 1R x 8 2400 Mbps 1.2 V 288 (1G x 8) x 8 EOL announced.

    • M378A1K43BB2-CTD

      Samsung Semiconductor

      DDR4 UDIMM 8 GB 1R x 8 2666 Mbps 1.2 V 288 (1G x 8) x 8 EOL announced.

    • M378A1K43CB2-CPB

      Samsung Semiconductor

      DDR4 UDIMM 8 GB 1R x 8 2133 Mbps 1.2 V 288 (1G x 8) x 8 Mass Production.

    • M378A1K43CB2-CRC

      Samsung Semiconductor

      DDR4 UDIMM 8 GB 1R x 8 2400 Mbps 1.2 V 288 (1G x 8) x 8 Mass Production.

    • M378A1K43CB2-CTD

      Samsung Semiconductor

      DDR4 UDIMM 8 GB 1R x 8 2666 Mbps 1.2 V 288 (1G x 8) x 8 Mass Production.

    İsti hissələr