Yeriniz siyahıda deyilsə, aşağıdakılardan birini seçin:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

Yeriniz siyahıda deyilsə, aşağıdakılardan birini seçin:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. Ev
  2. Məhsullar
  3. DRAM
  4. DDR3
  5. K4B4G1646D-BHMA

Samsung Semiconductor - K4B4G1646D-BHMA

KEY Part #: K7359692

[21860ədəd Stok]

    Hissə nömrəsi:
    K4B4G1646D-BHMA
    İstehsalçı:
    Samsung Semiconductor
    Ətraflı Təsviri:
    4 Gb 256M x 16 1866 Mbps 1.35 V -40 ~ 105 °C 96FBGA Mass Production.
    Manufacturer's standard lead time:
    Anbarda
    Raf ömrü:
    Bir il
    Chip From:
    Honq Konq
    RoHS:
    Ödəniş üsulu:
    Göndərmə yolu:
    Ailə Kateqoriyalarları:
    KEY Componentlər Co, LTD məhsul kateqoriyalarını təklif edən Elektron komponentlər distribyutorudur: DDR3, GDDR6, HBM Flarebolt, LPDDR4X, LPDDR4, HBM Aquabolt, LPDDR5 and DDR4 ...
    Rəqabətli üstünlük:
    Samsung Semiconductor K4B4G1646D-BHMA elektron komponentlərində ixtisaslaşmışıq. K4B4G1646D-BHMA sifarişdən sonra 24 saat ərzində göndərilə bilər. K4B4G1646D-BHMA üçün hər hansı bir tələbiniz varsa, buraya kotirovka üçün bir sorğu göndərin və ya bizə bir e-poçt göndərin: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    K4B4G1646D-BHMA Məhsul keyfiyyətləri

    Hissə nömrəsi : K4B4G1646D-BHMA
    İstehsalçı : Samsung Semiconductor
    Təsvir : 4 Gb 256M x 16 1866 Mbps 1.35 V -40 ~ 105 °C 96FBGA Mass Production
    Seriya : DDR3
    sıxlıq : 4 Gb
    Org. : 256M x 16
    sürət : 1866 Mbps
    voltaj : 1.35 V
    Temp. : -40 ~ 105 °C
    Paket : 96FBGA
    Product Status : Mass Production

    Son xəbərlər

    Samsung Memory Solutions for Automotive
    An Exclusive Look Inside Samsung’s Memory Exhibit at MWC
    NF1 SSD, Reach New Heights with Hyper-Scalable Datacenters
    Samsung Electronics Begins Mass Production of Industry's First 12GB LPDDR4X-based uMCP
    Samsung Announces Production of Industry’s First 2GB LPDDR3 Mobile Memory, Using 30nm-class Technology
    Autonomous Driving and the Quest for Safety
    Speed for the next generation of mobile devices
    Samsung Electronics Introduces New High Bandwidth Memory Technology Tailored to Data Centers, Graphic Applications, and AI
    Mass Production of Fifth-Generation V-NAND has Started
    Samsung Now Producing Four Gigabit LPDDR3 Mobile DRAM, Using 20nm-class Process Technology
    Automotive Driven by Small Packages Under the Hood
    How Will 5G Impact on Memory?
    Maraqlı ola bilərsiniz
    • M378A1K43BB1-CPB

      Samsung Semiconductor

      DDR4 UDIMM 8 GB 1R x 8 2133 Mbps 1.2 V 288 (1G x 8) x 8 EOL announced.

    • M378A1K43BB2-CRC

      Samsung Semiconductor

      DDR4 UDIMM 8 GB 1R x 8 2400 Mbps 1.2 V 288 (1G x 8) x 8 EOL announced.

    • M378A1K43BB2-CTD

      Samsung Semiconductor

      DDR4 UDIMM 8 GB 1R x 8 2666 Mbps 1.2 V 288 (1G x 8) x 8 EOL announced.

    • M378A1K43CB2-CPB

      Samsung Semiconductor

      DDR4 UDIMM 8 GB 1R x 8 2133 Mbps 1.2 V 288 (1G x 8) x 8 Mass Production.

    • M378A1K43CB2-CRC

      Samsung Semiconductor

      DDR4 UDIMM 8 GB 1R x 8 2400 Mbps 1.2 V 288 (1G x 8) x 8 Mass Production.

    • M378A1K43CB2-CTD

      Samsung Semiconductor

      DDR4 UDIMM 8 GB 1R x 8 2666 Mbps 1.2 V 288 (1G x 8) x 8 Mass Production.

    İsti hissələr