Yeriniz siyahıda deyilsə, aşağıdakılardan birini seçin:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

Yeriniz siyahıda deyilsə, aşağıdakılardan birini seçin:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. Ev
  2. Məhsullar
  3. DRAM
  4. DDR3
  5. K4B2G1646F-BMMA

Samsung Semiconductor - K4B2G1646F-BMMA

KEY Part #: K7359663

[21752ədəd Stok]

    Hissə nömrəsi:
    K4B2G1646F-BMMA
    İstehsalçı:
    Samsung Semiconductor
    Ətraflı Təsviri:
    2 Gb 128M x 16 1600 Mbps 1.35 V -40 ~ 95 °C 96FBGA Mass Production.
    Manufacturer's standard lead time:
    Anbarda
    Raf ömrü:
    Bir il
    Chip From:
    Honq Konq
    RoHS:
    Ödəniş üsulu:
    Göndərmə yolu:
    Ailə Kateqoriyalarları:
    KEY Componentlər Co, LTD məhsul kateqoriyalarını təklif edən Elektron komponentlər distribyutorudur: HBM Flarebolt, SLC Nand, GDDR5, LPDDR4, GDDR6, DDR4, LPDDR4X and MODULE ...
    Rəqabətli üstünlük:
    Samsung Semiconductor K4B2G1646F-BMMA elektron komponentlərində ixtisaslaşmışıq. K4B2G1646F-BMMA sifarişdən sonra 24 saat ərzində göndərilə bilər. K4B2G1646F-BMMA üçün hər hansı bir tələbiniz varsa, buraya kotirovka üçün bir sorğu göndərin və ya bizə bir e-poçt göndərin: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    K4B2G1646F-BMMA Məhsul keyfiyyətləri

    Hissə nömrəsi : K4B2G1646F-BMMA
    İstehsalçı : Samsung Semiconductor
    Təsvir : 2 Gb 128M x 16 1600 Mbps 1.35 V -40 ~ 95 °C 96FBGA Mass Production
    Seriya : DDR3
    sıxlıq : 2 Gb
    Org. : 128M x 16
    sürət : 1600 Mbps
    voltaj : 1.35 V
    Temp. : -40 ~ 95 °C
    Paket : 96FBGA
    Product Status : Mass Production

    Son xəbərlər

    Inside the building blocks of the 5G future
    Autonomous Driving and the Quest for Safety
    Samsung Rolls Out Industry’s First 8GB LPDDR4 DRAM Package
    [Video] 5G memory solutions : 5G. All in the Memory.
    Unlocking the Power of Cloud Computing
    NF1 SSD, Reach New Heights with Hyper-Scalable Datacenters
    Samsung’s Newest ISOCELL Image Sensor Enables Mobile Devices to ‘Slow Down’ Time
    Samsung Electronics Takes 3D Memory to New Heights with Sixth-generation V-NAND SSDs for Client Computing
    An Exclusive Look Inside Samsung’s Memory Exhibit at MWC
    Speed for the next generation of mobile devices
    Samsung Now Mass Producing Industry’s First, 20-Nanometer 6Gb LPDDR3 Mobile DRAM
    Samsung Honored for Outstanding Design and Engineering with 36 CES 2018 Innovation Awards
    Maraqlı ola bilərsiniz
    • K3UH5H50AM-AGCL

      Samsung Semiconductor

      32 Gb x64 4266 Mbps 1.8 / 1.1 / 0.6 V -25 ~ 85 °C 556FBGA Mass Production.

    • K3UH5H50AM-EGCL

      Samsung Semiconductor

      32 Gb x64 4266 Mbps 1.8 / 1.1 / 0.6 V -25 ~ 85 °C 376FBGA Mass Production.

    • K3UH5H50AM-JGCL

      Samsung Semiconductor

      32 Gb x64 4266 Mbps 1.8 / 1.1 / 0.6 V -25 ~ 85 °C 432FBGA Mass Production.

    • K3UH6H60BM-AGCL

      Samsung Semiconductor

      48 Gb x64 4266 Mbps 1.8 / 1.1 / 0.6 V -25 ~ 85 °C 556FBGA Mass Production.

    • K3UH6H60BM-EGCL

      Samsung Semiconductor

      48 Gb x64 4266 Mbps 1.8 / 1.1 / 0.6 V -25 ~ 85 °C 376FBGA Mass Production.

    • K3UH7H70AM-AGCL

      Samsung Semiconductor

      64 Gb x64 4266 Mbps 1.8 / 1.1 / 0.6 V -25 ~ 85 °C 556FBGA Mass Production.

    İsti hissələr