Yeriniz siyahıda deyilsə, aşağıdakılardan birini seçin:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

Yeriniz siyahıda deyilsə, aşağıdakılardan birini seçin:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. Ev
  2. Məhsullar
  3. DRAM
  4. DDR3
  5. K4B4G0846E-YCK0

Samsung Semiconductor - K4B4G0846E-YCK0

KEY Part #: K7359683

[23312ədəd Stok]

    Hissə nömrəsi:
    K4B4G0846E-YCK0
    İstehsalçı:
    Samsung Semiconductor
    Ətraflı Təsviri:
    4 Gb 512M x 8 1600 Mbps 1.35 V 0 ~ 85 °C 78FBGA Mass Production.
    Manufacturer's standard lead time:
    Anbarda
    Raf ömrü:
    Bir il
    Chip From:
    Honq Konq
    RoHS:
    Ödəniş üsulu:
    Göndərmə yolu:
    Ailə Kateqoriyalarları:
    KEY Componentlər Co, LTD məhsul kateqoriyalarını təklif edən Elektron komponentlər distribyutorudur: LPDDR5, HBM Flarebolt, LPDDR4, DDR3, DDR4, GDDR6, MODULE and GDDR5 ...
    Rəqabətli üstünlük:
    Samsung Semiconductor K4B4G0846E-YCK0 elektron komponentlərində ixtisaslaşmışıq. K4B4G0846E-YCK0 sifarişdən sonra 24 saat ərzində göndərilə bilər. K4B4G0846E-YCK0 üçün hər hansı bir tələbiniz varsa, buraya kotirovka üçün bir sorğu göndərin və ya bizə bir e-poçt göndərin: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    K4B4G0846E-YCK0 Məhsul keyfiyyətləri

    Hissə nömrəsi : K4B4G0846E-YCK0
    İstehsalçı : Samsung Semiconductor
    Təsvir : 4 Gb 512M x 8 1600 Mbps 1.35 V 0 ~ 85 °C 78FBGA Mass Production
    Seriya : DDR3
    sıxlıq : 4 Gb
    Org. : 512M x 8
    sürət : 1600 Mbps
    voltaj : 1.35 V
    Temp. : 0 ~ 85 °C
    Paket : 78FBGA
    Product Status : Mass Production

    Son xəbərlər

    NF1 SSD, Reach New Heights with Hyper-Scalable Datacenters
    SSDs, DRAM and gaming: Unlocking a new level of performance
    Autonomous Driving and the Quest for Safety
    Samsung Now Mass Producing Industry’s Most Advanced 4Gb DDR3, Using 20 Nanometer Process Technology
    Samsung Begins Mass Production of Industry’s First 12Gb LPDDR5 Mobile DRAM for Premium Smartphones
    [Video] The Future of Autonomous Driving: Samsung’s Memory Component Solutions
    Exploring the Key Samsung Technologies That Enabled 10nm-Class DRAM
    Samsung Now Producing Industry’s Highest Density (3GB) LPDDR3 Mobile Memory for Smartphones
    High Bandwidth Memory is Catching on for Data-intensive Computing
    Samsung Showcases Its Latest Silicon Technologies for the Next Wave of Innovation at Annual Tech Day
    Samsung’s Newest ISOCELL Image Sensor Enables Mobile Devices to ‘Slow Down’ Time
    Speed for the next generation of mobile devices
    Maraqlı ola bilərsiniz
    • K3UH5H50AM-AGCL

      Samsung Semiconductor

      32 Gb x64 4266 Mbps 1.8 / 1.1 / 0.6 V -25 ~ 85 °C 556FBGA Mass Production.

    • K3UH5H50AM-EGCL

      Samsung Semiconductor

      32 Gb x64 4266 Mbps 1.8 / 1.1 / 0.6 V -25 ~ 85 °C 376FBGA Mass Production.

    • K3UH5H50AM-JGCL

      Samsung Semiconductor

      32 Gb x64 4266 Mbps 1.8 / 1.1 / 0.6 V -25 ~ 85 °C 432FBGA Mass Production.

    • K3UH6H60BM-AGCL

      Samsung Semiconductor

      48 Gb x64 4266 Mbps 1.8 / 1.1 / 0.6 V -25 ~ 85 °C 556FBGA Mass Production.

    • K3UH6H60BM-EGCL

      Samsung Semiconductor

      48 Gb x64 4266 Mbps 1.8 / 1.1 / 0.6 V -25 ~ 85 °C 376FBGA Mass Production.

    • K3UH7H70AM-AGCL

      Samsung Semiconductor

      64 Gb x64 4266 Mbps 1.8 / 1.1 / 0.6 V -25 ~ 85 °C 556FBGA Mass Production.

    İsti hissələr