Yeriniz siyahıda deyilsə, aşağıdakılardan birini seçin:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

Yeriniz siyahıda deyilsə, aşağıdakılardan birini seçin:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. Ev
  2. Məhsullar
  3. DRAM
  4. DDR3
  5. K4B4G0846D-BCMA

Samsung Semiconductor - K4B4G0846D-BCMA

KEY Part #: K7359669

[25276ədəd Stok]

    Hissə nömrəsi:
    K4B4G0846D-BCMA
    İstehsalçı:
    Samsung Semiconductor
    Ətraflı Təsviri:
    4 Gb 512M x 8 1866 Mbps 1.5 V 0 ~ 85 °C 78FBGA Mass Production.
    Manufacturer's standard lead time:
    Anbarda
    Raf ömrü:
    Bir il
    Chip From:
    Honq Konq
    RoHS:
    Ödəniş üsulu:
    Göndərmə yolu:
    Ailə Kateqoriyalarları:
    KEY Componentlər Co, LTD məhsul kateqoriyalarını təklif edən Elektron komponentlər distribyutorudur: LPDDR5, HBM Flarebolt, GDDR5, SLC Nand, DDR4, HBM Aquabolt, LPDDR3 and LPDDR4X ...
    Rəqabətli üstünlük:
    Samsung Semiconductor K4B4G0846D-BCMA elektron komponentlərində ixtisaslaşmışıq. K4B4G0846D-BCMA sifarişdən sonra 24 saat ərzində göndərilə bilər. K4B4G0846D-BCMA üçün hər hansı bir tələbiniz varsa, buraya kotirovka üçün bir sorğu göndərin və ya bizə bir e-poçt göndərin: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    K4B4G0846D-BCMA Məhsul keyfiyyətləri

    Hissə nömrəsi : K4B4G0846D-BCMA
    İstehsalçı : Samsung Semiconductor
    Təsvir : 4 Gb 512M x 8 1866 Mbps 1.5 V 0 ~ 85 °C 78FBGA Mass Production
    Seriya : DDR3
    sıxlıq : 4 Gb
    Org. : 512M x 8
    sürət : 1866 Mbps
    voltaj : 1.5 V
    Temp. : 0 ~ 85 °C
    Paket : 78FBGA
    Product Status : Mass Production

    Son xəbərlər

    Samsung Electronics Takes 3D Memory to New Heights with Sixth-generation V-NAND SSDs for Client Computing
    Samsung Launches Industry’s First 12Gb LPDDR4 DRAM
    High Bandwidth Memory is Catching on for Data-intensive Computing
    Samsung Rolls Out Industry’s First 8GB LPDDR4 DRAM Package
    Samsung Now Producing Four Gigabit LPDDR3 Mobile DRAM, Using 20nm-class Process Technology
    Samsung Enhances Functional Safety to its Automotive Semiconductors with ISO 26262 Certification
    Samsung’s PM1733 SSD and High Density DIMMs Support AMD EPYC™ 7002 Series Processor
    Samsung’s Newest ISOCELL Image Sensor Enables Mobile Devices to ‘Slow Down’ Time
    Samsung Memory Solutions for Automotive
    Samsung wins 46 CES 2020 Innovation Awards for Outstanding Design and Engineering
    How Will 5G Impact on Memory?
    Exploring the Key Samsung Technologies That Enabled 10nm-Class DRAM
    Maraqlı ola bilərsiniz
    • K3UH5H50AM-AGCL

      Samsung Semiconductor

      32 Gb x64 4266 Mbps 1.8 / 1.1 / 0.6 V -25 ~ 85 °C 556FBGA Mass Production.

    • K3UH5H50AM-EGCL

      Samsung Semiconductor

      32 Gb x64 4266 Mbps 1.8 / 1.1 / 0.6 V -25 ~ 85 °C 376FBGA Mass Production.

    • K3UH5H50AM-JGCL

      Samsung Semiconductor

      32 Gb x64 4266 Mbps 1.8 / 1.1 / 0.6 V -25 ~ 85 °C 432FBGA Mass Production.

    • K3UH6H60BM-AGCL

      Samsung Semiconductor

      48 Gb x64 4266 Mbps 1.8 / 1.1 / 0.6 V -25 ~ 85 °C 556FBGA Mass Production.

    • K3UH6H60BM-EGCL

      Samsung Semiconductor

      48 Gb x64 4266 Mbps 1.8 / 1.1 / 0.6 V -25 ~ 85 °C 376FBGA Mass Production.

    • K3UH7H70AM-AGCL

      Samsung Semiconductor

      64 Gb x64 4266 Mbps 1.8 / 1.1 / 0.6 V -25 ~ 85 °C 556FBGA Mass Production.

    İsti hissələr