Samsung Semiconductor - K4B1G1646I-BYNB

KEY Part #: K7359648

[22839ədəd Stok]

Hissə nömrəsi:: K4B1G1646I-BYNB

İstehsalçı:: Samsung Semiconductor

Ətraflı Təsviri:: 1 Gb 64M x 16 2133 Mbps 1.35 V 0 ~ 85 °C 96FBGA Mass Production.

Manufacturer's standard lead time:: Anbarda

Raf ömrü:: Bir il

Chip From:: Honq Konq

RoHS:

Ödəniş üsulu:

Göndərmə yolu:

Ailə Kateqoriyalarları:: KEY Componentlər Co, LTD məhsul kateqoriyalarını təklif edən Elektron komponentlər distribyutorudur: DDR4, HBM Aquabolt, HBM Flarebolt, LPDDR4X, GDDR6, GDDR5, MODULE and LPDDR3 ...

Rəqabətli üstünlük:: Samsung Semiconductor K4B1G1646I-BYNB elektron komponentlərində ixtisaslaşmışıq. K4B1G1646I-BYNB sifarişdən sonra 24 saat ərzində göndərilə bilər. K4B1G1646I-BYNB üçün hər hansı bir tələbiniz varsa, buraya kotirovka üçün bir sorğu göndərin və ya bizə bir e-poçt göndərin: rfq@key-components.com

GB-T-27922

ISO-9001-2015

ISO-13485

ISO-14001

ISO-28000-2007

ISO-45001-2018

K4B1G1646I-BYNB Məhsul keyfiyyətləri

Hissə nömrəsi : K4B1G1646I-BYNB

İstehsalçı : Samsung Semiconductor

Təsvir : 1 Gb 64M x 16 2133 Mbps 1.35 V 0 ~ 85 °C 96FBGA Mass Production

Seriya : DDR3

sıxlıq : 1 Gb

Org. : 64M x 16

sürət : 2133 Mbps

voltaj : 1.35 V

Temp. : 0 ~ 85 °C

Paket : 96FBGA

Product Status : Mass Production

Son xəbərlər

Samsung Enhances Functional Safety to its Automotive Semiconductors with ISO 26262 Certification

SSDs, DRAM and gaming: Unlocking a new level of performance

Bringing Artificial Intelligence to Devices Everywhere

Driving the Artificial Intelligence Evolution with In-Memory Computing

Samsung Now Producing Industry’s Highest Density (3GB) LPDDR3 Mobile Memory for Smartphones

Samsung Now Mass Producing Industry’s Most Advanced 4Gb DDR3, Using 20 Nanometer Process Technology

How Will 5G Impact on Memory?

Samsung Electronics Starts Mass Producing Industry’s First 8-Gigabit Graphics DRAM (GDDR5)

Evolving Mobile Solutions: Samsung at MWC 2018

An Exclusive Look Inside Samsung’s Memory Exhibit at MWC

Samsung Rolls Out Industry’s First 8GB LPDDR4 DRAM Package

High Bandwidth Memory is Catching on for Data-intensive Computing

Maraqlı ola bilərsiniz

K3UH5H50AM-AGCL

Samsung Semiconductor

32 Gb x64 4266 Mbps 1.8 / 1.1 / 0.6 V -25 ~ 85 °C 556FBGA Mass Production.
K3UH5H50AM-EGCL

Samsung Semiconductor

32 Gb x64 4266 Mbps 1.8 / 1.1 / 0.6 V -25 ~ 85 °C 376FBGA Mass Production.
K3UH5H50AM-JGCL

Samsung Semiconductor

32 Gb x64 4266 Mbps 1.8 / 1.1 / 0.6 V -25 ~ 85 °C 432FBGA Mass Production.
K3UH6H60BM-AGCL

Samsung Semiconductor

48 Gb x64 4266 Mbps 1.8 / 1.1 / 0.6 V -25 ~ 85 °C 556FBGA Mass Production.
K3UH6H60BM-EGCL

Samsung Semiconductor

48 Gb x64 4266 Mbps 1.8 / 1.1 / 0.6 V -25 ~ 85 °C 376FBGA Mass Production.
K3UH7H70AM-AGCL

Samsung Semiconductor

64 Gb x64 4266 Mbps 1.8 / 1.1 / 0.6 V -25 ~ 85 °C 556FBGA Mass Production.

İsti hissələr

English Azərbaycan