IXYS - IXFN90N30

KEY Part #: K6395035

IXFN90N30 Qiymətləndirmə (USD) [3371ədəd Stok]

  • 1 pcs$13.55782
  • 10 pcs$13.49037

Hissə nömrəsi:
IXFN90N30
İstehsalçı:
IXYS
Ətraflı Təsviri:
MOSFET N-CH 300V 90A SOT-227B.
Manufacturer's standard lead time:
Anbarda
Raf ömrü:
Bir il
Chip From:
Honq Konq
RoHS:
Ödəniş üsulu:
Göndərmə yolu:
Ailə Kateqoriyalarları:
KEY Componentlər Co, LTD məhsul kateqoriyalarını təklif edən Elektron komponentlər distribyutorudur: Tiristorlar - TRIACs, Transistorlar - Bipolyar (BJT) - Seriallar, Qeyri-, Tiristorlar - DIAClar, SIDAClar, Tiristorlar - SCRlər, Transistorlar - Bipolyar (BJT) - RF, Transistorlar - JFETlər, Diodlar - Düzləşdiricilər - Diziler and Diodlar - RF ...
Rəqabətli üstünlük:
IXYS IXFN90N30 elektron komponentlərində ixtisaslaşmışıq. IXFN90N30 sifarişdən sonra 24 saat ərzində göndərilə bilər. IXFN90N30 üçün hər hansı bir tələbiniz varsa, buraya kotirovka üçün bir sorğu göndərin və ya bizə bir e-poçt göndərin: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXFN90N30 Məhsul keyfiyyətləri

Hissə nömrəsi : IXFN90N30
İstehsalçı : IXYS
Təsvir : MOSFET N-CH 300V 90A SOT-227B
Seriya : HiPerFET™
Hissə Vəziyyəti : Active
FET növü : N-Channel
Texnologiya : MOSFET (Metal Oxide)
Mənbə gərginliyinə axın (Vdss) : 300V
Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C : 90A (Tc)
Sürət gərginliyi (Maks Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 33 mOhm @ 45A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 8mA
Qapı şarjı (Qg) (Max) @ Vgs : 360nC @ 10V
Vgs (Maks) : ±20V
Giriş qabiliyyəti (Ciss) (Maks) @ Vds : 10000pF @ 25V
FET Feature : -
Gücün bölüşdürülməsi (Maks) : 560W (Tc)
Əməliyyat temperaturu : -55°C ~ 150°C (TJ)
Montaj növü : Chassis Mount
Təchizatçı cihaz paketi : SOT-227B
Paket / Case : SOT-227-4, miniBLOC