Vishay Siliconix - IRFBE30STRR

KEY Part #: K6414368

[12780ədəd Stok]


    Hissə nömrəsi:
    IRFBE30STRR
    İstehsalçı:
    Vishay Siliconix
    Ətraflı Təsviri:
    MOSFET N-CH 800V 4.1A D2PAK.
    Manufacturer's standard lead time:
    Anbarda
    Raf ömrü:
    Bir il
    Chip From:
    Honq Konq
    RoHS:
    Ödəniş üsulu:
    Göndərmə yolu:
    Ailə Kateqoriyalarları:
    KEY Componentlər Co, LTD məhsul kateqoriyalarını təklif edən Elektron komponentlər distribyutorudur: Güc Sürücü Modulları, Tiristorlar - DIAClar, SIDAClar, Diodlar - Körpü Düzəldicilər, Transistorlar - FETTlər, MOSFETlər - seriallar, Transistorlar - JFETlər, Diodlar - Zener - Subay, Diodlar - Düzləşdiricilər - Diziler and Transistorlar - Proqramlaşdırıla bilən Birlik ...
    Rəqabətli üstünlük:
    Vishay Siliconix IRFBE30STRR elektron komponentlərində ixtisaslaşmışıq. IRFBE30STRR sifarişdən sonra 24 saat ərzində göndərilə bilər. IRFBE30STRR üçün hər hansı bir tələbiniz varsa, buraya kotirovka üçün bir sorğu göndərin və ya bizə bir e-poçt göndərin: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    IRFBE30STRR Məhsul keyfiyyətləri

    Hissə nömrəsi : IRFBE30STRR
    İstehsalçı : Vishay Siliconix
    Təsvir : MOSFET N-CH 800V 4.1A D2PAK
    Seriya : -
    Hissə Vəziyyəti : Active
    FET növü : N-Channel
    Texnologiya : MOSFET (Metal Oxide)
    Mənbə gərginliyinə axın (Vdss) : 800V
    Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C : 4.1A (Tc)
    Sürət gərginliyi (Maks Rds On, Min Rds On) : 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3 Ohm @ 2.5A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
    Qapı şarjı (Qg) (Max) @ Vgs : 78nC @ 10V
    Vgs (Maks) : ±20V
    Giriş qabiliyyəti (Ciss) (Maks) @ Vds : 1300pF @ 25V
    FET Feature : -
    Gücün bölüşdürülməsi (Maks) : 125W (Tc)
    Əməliyyat temperaturu : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Montaj növü : Surface Mount
    Təchizatçı cihaz paketi : D2PAK
    Paket / Case : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB