Infineon Technologies - IPB019N08N3GATMA1

KEY Part #: K6417271

IPB019N08N3GATMA1 Qiymətləndirmə (USD) [28343ədəd Stok]

  • 1 pcs$1.45407

Hissə nömrəsi:
IPB019N08N3GATMA1
İstehsalçı:
Infineon Technologies
Ətraflı Təsviri:
MOSFET N-CH 80V 180A TO263-7.
Manufacturer's standard lead time:
Anbarda
Raf ömrü:
Bir il
Chip From:
Honq Konq
RoHS:
Ödəniş üsulu:
Göndərmə yolu:
Ailə Kateqoriyalarları:
KEY Componentlər Co, LTD məhsul kateqoriyalarını təklif edən Elektron komponentlər distribyutorudur: Tiristorlar - SCR - Modullar, Tiristorlar - DIAClar, SIDAClar, Transistorlar - Bipolyar (BJT) - Ardıcıllıqlar, Transistorlar - IGBTs - Subay, Diodlar - Dəyişən Kapasitans (Varikaplar, Varaktor, Transistorlar - Bipolyar (BJT) - Seriallar, Qeyri-, Transistorlar - FETTlər, MOSFETlər - seriallar and Transistorlar - FET, MOSFETlər - RF ...
Rəqabətli üstünlük:
Infineon Technologies IPB019N08N3GATMA1 elektron komponentlərində ixtisaslaşmışıq. IPB019N08N3GATMA1 sifarişdən sonra 24 saat ərzində göndərilə bilər. IPB019N08N3GATMA1 üçün hər hansı bir tələbiniz varsa, buraya kotirovka üçün bir sorğu göndərin və ya bizə bir e-poçt göndərin: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPB019N08N3GATMA1 Məhsul keyfiyyətləri

Hissə nömrəsi : IPB019N08N3GATMA1
İstehsalçı : Infineon Technologies
Təsvir : MOSFET N-CH 80V 180A TO263-7
Seriya : OptiMOS™
Hissə Vəziyyəti : Active
FET növü : N-Channel
Texnologiya : MOSFET (Metal Oxide)
Mənbə gərginliyinə axın (Vdss) : 80V
Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C : 180A (Tc)
Sürət gərginliyi (Maks Rds On, Min Rds On) : 6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.9 mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.5V @ 270µA
Qapı şarjı (Qg) (Max) @ Vgs : 206nC @ 10V
Vgs (Maks) : ±20V
Giriş qabiliyyəti (Ciss) (Maks) @ Vds : 14200pF @ 40V
FET Feature : -
Gücün bölüşdürülməsi (Maks) : 300W (Tc)
Əməliyyat temperaturu : -55°C ~ 175°C (TJ)
Montaj növü : Surface Mount
Təchizatçı cihaz paketi : PG-TO263-7
Paket / Case : TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)