IXYS - IXFA7N80P

KEY Part #: K6394777

IXFA7N80P Qiymətləndirmə (USD) [39795ədəd Stok]

  • 1 pcs$1.08619
  • 50 pcs$1.08079

Hissə nömrəsi:
IXFA7N80P
İstehsalçı:
IXYS
Ətraflı Təsviri:
MOSFET N-CH 800V 7A TO-263.
Manufacturer's standard lead time:
Anbarda
Raf ömrü:
Bir il
Chip From:
Honq Konq
RoHS:
Ödəniş üsulu:
Göndərmə yolu:
Ailə Kateqoriyalarları:
KEY Componentlər Co, LTD məhsul kateqoriyalarını təklif edən Elektron komponentlər distribyutorudur: Transistorlar - JFETlər, Transistorlar - Bipolyar (BJT) - Ardıcıllıqlar, Transistorlar - IGBTs - seriallar, Güc Sürücü Modulları, Transistorlar - Proqramlaşdırıla bilən Birlik, Tiristorlar - SCR - Modullar, Diodlar - Düzləşdiricilər - Diziler and Transistorlar - Xüsusi Məqsəd ...
Rəqabətli üstünlük:
IXYS IXFA7N80P elektron komponentlərində ixtisaslaşmışıq. IXFA7N80P sifarişdən sonra 24 saat ərzində göndərilə bilər. IXFA7N80P üçün hər hansı bir tələbiniz varsa, buraya kotirovka üçün bir sorğu göndərin və ya bizə bir e-poçt göndərin: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXFA7N80P Məhsul keyfiyyətləri

Hissə nömrəsi : IXFA7N80P
İstehsalçı : IXYS
Təsvir : MOSFET N-CH 800V 7A TO-263
Seriya : HiPerFET™, PolarHT™
Hissə Vəziyyəti : Active
FET növü : N-Channel
Texnologiya : MOSFET (Metal Oxide)
Mənbə gərginliyinə axın (Vdss) : 800V
Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C : 7A (Tc)
Sürət gərginliyi (Maks Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.44 Ohm @ 3.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 1mA
Qapı şarjı (Qg) (Max) @ Vgs : 32nC @ 10V
Vgs (Maks) : ±30V
Giriş qabiliyyəti (Ciss) (Maks) @ Vds : 1890pF @ 25V
FET Feature : -
Gücün bölüşdürülməsi (Maks) : 200W (Tc)
Əməliyyat temperaturu : -55°C ~ 150°C (TJ)
Montaj növü : Surface Mount
Təchizatçı cihaz paketi : TO-263 (IXFA)
Paket / Case : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB