IXYS - IXTA1R6N100D2

KEY Part #: K6394708

IXTA1R6N100D2 Qiymətləndirmə (USD) [47959ədəd Stok]

  • 1 pcs$0.90131
  • 50 pcs$0.89682

Hissə nömrəsi:
IXTA1R6N100D2
İstehsalçı:
IXYS
Ətraflı Təsviri:
MOSFET N-CH 1000V 1.6A D2PAK.
Manufacturer's standard lead time:
Anbarda
Raf ömrü:
Bir il
Chip From:
Honq Konq
RoHS:
Ödəniş üsulu:
Göndərmə yolu:
Ailə Kateqoriyalarları:
KEY Componentlər Co, LTD məhsul kateqoriyalarını təklif edən Elektron komponentlər distribyutorudur: Diodlar - Düzəldicilər - Tək, Transistorlar - FET, MOSFETlər - RF, Transistorlar - JFETlər, Transistorlar - IGBTs - seriallar, Transistorlar - FETTlər, MOSFETlər - seriallar, Transistorlar - Bipolyar (BJT) - Ardıcıllıqlar, Tiristorlar - DIAClar, SIDAClar and Transistorlar - Bipolyar (BJT) - Tək, Qeyri-qərəzl ...
Rəqabətli üstünlük:
IXYS IXTA1R6N100D2 elektron komponentlərində ixtisaslaşmışıq. IXTA1R6N100D2 sifarişdən sonra 24 saat ərzində göndərilə bilər. IXTA1R6N100D2 üçün hər hansı bir tələbiniz varsa, buraya kotirovka üçün bir sorğu göndərin və ya bizə bir e-poçt göndərin: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXTA1R6N100D2 Məhsul keyfiyyətləri

Hissə nömrəsi : IXTA1R6N100D2
İstehsalçı : IXYS
Təsvir : MOSFET N-CH 1000V 1.6A D2PAK
Seriya : -
Hissə Vəziyyəti : Active
FET növü : N-Channel
Texnologiya : MOSFET (Metal Oxide)
Mənbə gərginliyinə axın (Vdss) : 1000V
Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C : 1.6A (Tc)
Sürət gərginliyi (Maks Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 10 Ohm @ 800mA, 0V
Vgs (th) (Max) @ Id : -
Qapı şarjı (Qg) (Max) @ Vgs : 27nC @ 5V
Vgs (Maks) : ±20V
Giriş qabiliyyəti (Ciss) (Maks) @ Vds : 645pF @ 25V
FET Feature : Depletion Mode
Gücün bölüşdürülməsi (Maks) : 100W (Tc)
Əməliyyat temperaturu : -55°C ~ 150°C (TJ)
Montaj növü : Surface Mount
Təchizatçı cihaz paketi : TO-263 (IXTA)
Paket / Case : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB