Diodes Incorporated - DMN13H750S-7

KEY Part #: K6416161

DMN13H750S-7 Qiymətləndirmə (USD) [409104ədəd Stok]

  • 1 pcs$0.09041
  • 3,000 pcs$0.08092

Hissə nömrəsi:
DMN13H750S-7
İstehsalçı:
Diodes Incorporated
Ətraflı Təsviri:
MOSFET N-CH 130V 1A SOT23.
Manufacturer's standard lead time:
Anbarda
Raf ömrü:
Bir il
Chip From:
Honq Konq
RoHS:
Ödəniş üsulu:
Göndərmə yolu:
Ailə Kateqoriyalarları:
KEY Componentlər Co, LTD məhsul kateqoriyalarını təklif edən Elektron komponentlər distribyutorudur: Diodlar - Dəyişən Kapasitans (Varikaplar, Varaktor, Transistorlar - Proqramlaşdırıla bilən Birlik, Güc Sürücü Modulları, Diodlar - Düzləşdiricilər - Diziler, Transistorlar - Bipolyar (BJT) - Tək, Transistorlar - Bipolyar (BJT) - Tək, Qeyri-qərəzl, Transistorlar - FETTlər, MOSFETlər - seriallar and Tiristorlar - SCRlər ...
Rəqabətli üstünlük:
Diodes Incorporated DMN13H750S-7 elektron komponentlərində ixtisaslaşmışıq. DMN13H750S-7 sifarişdən sonra 24 saat ərzində göndərilə bilər. DMN13H750S-7 üçün hər hansı bir tələbiniz varsa, buraya kotirovka üçün bir sorğu göndərin və ya bizə bir e-poçt göndərin: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DMN13H750S-7 Məhsul keyfiyyətləri

Hissə nömrəsi : DMN13H750S-7
İstehsalçı : Diodes Incorporated
Təsvir : MOSFET N-CH 130V 1A SOT23
Seriya : -
Hissə Vəziyyəti : Active
FET növü : N-Channel
Texnologiya : MOSFET (Metal Oxide)
Mənbə gərginliyinə axın (Vdss) : 130V
Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C : 1A (Ta)
Sürət gərginliyi (Maks Rds On, Min Rds On) : 6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 750 mOhm @ 2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Qapı şarjı (Qg) (Max) @ Vgs : 5.6nC @ 10V
Vgs (Maks) : ±20V
Giriş qabiliyyəti (Ciss) (Maks) @ Vds : 231pF @ 25V
FET Feature : -
Gücün bölüşdürülməsi (Maks) : 770mW (Ta)
Əməliyyat temperaturu : -55°C ~ 150°C (TJ)
Montaj növü : Surface Mount
Təchizatçı cihaz paketi : SOT-23
Paket / Case : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3