ON Semiconductor - FDG311N

KEY Part #: K6416166

FDG311N Qiymətləndirmə (USD) [529955ədəd Stok]

  • 1 pcs$0.07014
  • 3,000 pcs$0.06979

Hissə nömrəsi:
FDG311N
İstehsalçı:
ON Semiconductor
Ətraflı Təsviri:
MOSFET N-CH 20V 1.9A SC70-6.
Manufacturer's standard lead time:
Anbarda
Raf ömrü:
Bir il
Chip From:
Honq Konq
RoHS:
Ödəniş üsulu:
Göndərmə yolu:
Ailə Kateqoriyalarları:
KEY Componentlər Co, LTD məhsul kateqoriyalarını təklif edən Elektron komponentlər distribyutorudur: Transistorlar - FET, MOSFETlər - RF, Diodlar - RF, Transistorlar - FETTlər, MOSFETlər - seriallar, Tiristorlar - TRIACs, Transistorlar - Bipolyar (BJT) - Ardıcıllıqlar, Transistorlar - Bipolyar (BJT) - RF, Transistorlar - Bipolyar (BJT) - Seriallar, Qeyri- and Diodlar - Dəyişən Kapasitans (Varikaplar, Varaktor ...
Rəqabətli üstünlük:
ON Semiconductor FDG311N elektron komponentlərində ixtisaslaşmışıq. FDG311N sifarişdən sonra 24 saat ərzində göndərilə bilər. FDG311N üçün hər hansı bir tələbiniz varsa, buraya kotirovka üçün bir sorğu göndərin və ya bizə bir e-poçt göndərin: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FDG311N Məhsul keyfiyyətləri

Hissə nömrəsi : FDG311N
İstehsalçı : ON Semiconductor
Təsvir : MOSFET N-CH 20V 1.9A SC70-6
Seriya : PowerTrench®
Hissə Vəziyyəti : Active
FET növü : N-Channel
Texnologiya : MOSFET (Metal Oxide)
Mənbə gərginliyinə axın (Vdss) : 20V
Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C : 1.9A (Ta)
Sürət gərginliyi (Maks Rds On, Min Rds On) : 2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 115 mOhm @ 1.9A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.5V @ 250µA
Qapı şarjı (Qg) (Max) @ Vgs : 4.5nC @ 4.5V
Vgs (Maks) : ±8V
Giriş qabiliyyəti (Ciss) (Maks) @ Vds : 270pF @ 10V
FET Feature : -
Gücün bölüşdürülməsi (Maks) : 750mW (Ta)
Əməliyyat temperaturu : -55°C ~ 150°C (TJ)
Montaj növü : Surface Mount
Təchizatçı cihaz paketi : SC-88 (SC-70-6)
Paket / Case : 6-TSSOP, SC-88, SOT-363