IXYS - IXTY1R4N120P

KEY Part #: K6394637

IXTY1R4N120P Qiymətləndirmə (USD) [41564ədəd Stok]

  • 1 pcs$1.08727
  • 70 pcs$1.08186

Hissə nömrəsi:
IXTY1R4N120P
İstehsalçı:
IXYS
Ətraflı Təsviri:
MOSFET N-CH 1200V 1.4A TO-252.
Manufacturer's standard lead time:
Anbarda
Raf ömrü:
Bir il
Chip From:
Honq Konq
RoHS:
Ödəniş üsulu:
Göndərmə yolu:
Ailə Kateqoriyalarları:
KEY Componentlər Co, LTD məhsul kateqoriyalarını təklif edən Elektron komponentlər distribyutorudur: Diodlar - Düzləşdiricilər - Diziler, Transistorlar - Proqramlaşdırıla bilən Birlik, Tiristorlar - SCRlər, Transistorlar - FETTlər, MOSFETlər - seriallar, Diodlar - Zener - Subay, Güc Sürücü Modulları, Transistorlar - IGBTs - Modullar and Transistorlar - IGBTs - Subay ...
Rəqabətli üstünlük:
IXYS IXTY1R4N120P elektron komponentlərində ixtisaslaşmışıq. IXTY1R4N120P sifarişdən sonra 24 saat ərzində göndərilə bilər. IXTY1R4N120P üçün hər hansı bir tələbiniz varsa, buraya kotirovka üçün bir sorğu göndərin və ya bizə bir e-poçt göndərin: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXTY1R4N120P Məhsul keyfiyyətləri

Hissə nömrəsi : IXTY1R4N120P
İstehsalçı : IXYS
Təsvir : MOSFET N-CH 1200V 1.4A TO-252
Seriya : -
Hissə Vəziyyəti : Active
FET növü : N-Channel
Texnologiya : MOSFET (Metal Oxide)
Mənbə gərginliyinə axın (Vdss) : 1200V
Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C : 1.4A (Tc)
Sürət gərginliyi (Maks Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : -
Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 100µA
Qapı şarjı (Qg) (Max) @ Vgs : -
Vgs (Maks) : ±20V
Giriş qabiliyyəti (Ciss) (Maks) @ Vds : -
FET Feature : -
Gücün bölüşdürülməsi (Maks) : -
Əməliyyat temperaturu : -55°C ~ 150°C (TJ)
Montaj növü : Surface Mount
Təchizatçı cihaz paketi : TO-252, (D-Pak)
Paket / Case : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63