Diodes Incorporated - ZXMN6A25G

KEY Part #: K6410167

[29ədəd Stok]


    Hissə nömrəsi:
    ZXMN6A25G
    İstehsalçı:
    Diodes Incorporated
    Ətraflı Təsviri:
    MOSFET N-CH 60V 4.8A SOT223.
    Manufacturer's standard lead time:
    Anbarda
    Raf ömrü:
    Bir il
    Chip From:
    Honq Konq
    RoHS:
    Ödəniş üsulu:
    Göndərmə yolu:
    Ailə Kateqoriyalarları:
    KEY Componentlər Co, LTD məhsul kateqoriyalarını təklif edən Elektron komponentlər distribyutorudur: Transistorlar - Bipolyar (BJT) - Seriallar, Qeyri-, Transistorlar - JFETlər, Transistorlar - FETTlər, MOSFETlər - seriallar, Transistorlar - Proqramlaşdırıla bilən Birlik, Transistorlar - Bipolyar (BJT) - Tək, Qeyri-qərəzl, Transistorlar - Xüsusi Məqsəd, Transistorlar - Bipolyar (BJT) - Tək and Tiristorlar - SCRlər ...
    Rəqabətli üstünlük:
    Diodes Incorporated ZXMN6A25G elektron komponentlərində ixtisaslaşmışıq. ZXMN6A25G sifarişdən sonra 24 saat ərzində göndərilə bilər. ZXMN6A25G üçün hər hansı bir tələbiniz varsa, buraya kotirovka üçün bir sorğu göndərin və ya bizə bir e-poçt göndərin: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    ZXMN6A25G Məhsul keyfiyyətləri

    Hissə nömrəsi : ZXMN6A25G
    İstehsalçı : Diodes Incorporated
    Təsvir : MOSFET N-CH 60V 4.8A SOT223
    Seriya : -
    Hissə Vəziyyəti : Obsolete
    FET növü : N-Channel
    Texnologiya : MOSFET (Metal Oxide)
    Mənbə gərginliyinə axın (Vdss) : 60V
    Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C : 4.8A (Ta)
    Sürət gərginliyi (Maks Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 50 mOhm @ 3.6A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 250µA
    Qapı şarjı (Qg) (Max) @ Vgs : 20.4nC @ 10V
    Vgs (Maks) : ±20V
    Giriş qabiliyyəti (Ciss) (Maks) @ Vds : 1063pF @ 30V
    FET Feature : -
    Gücün bölüşdürülməsi (Maks) : 2W (Ta)
    Əməliyyat temperaturu : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Montaj növü : Surface Mount
    Təchizatçı cihaz paketi : SOT-223
    Paket / Case : TO-261-4, TO-261AA