IXYS - IXFH13N100

KEY Part #: K6409377

IXFH13N100 Qiymətləndirmə (USD) [6990ədəd Stok]

  • 1 pcs$6.81260
  • 30 pcs$6.77870

Hissə nömrəsi:
IXFH13N100
İstehsalçı:
IXYS
Ətraflı Təsviri:
MOSFET N-CH 1000V 12.5A TO-247.
Manufacturer's standard lead time:
Anbarda
Raf ömrü:
Bir il
Chip From:
Honq Konq
RoHS:
Ödəniş üsulu:
Göndərmə yolu:
Ailə Kateqoriyalarları:
KEY Componentlər Co, LTD məhsul kateqoriyalarını təklif edən Elektron komponentlər distribyutorudur: Diodlar - RF, Transistorlar - Bipolyar (BJT) - Ardıcıllıqlar, Transistorlar - Bipolyar (BJT) - Tək, Qeyri-qərəzl, Transistorlar - IGBTs - Modullar, Transistorlar - JFETlər, Transistorlar - Bipolyar (BJT) - Seriallar, Qeyri-, Transistorlar - FET, MOSFETlər - Tək and Transistorlar - FET, MOSFETlər - RF ...
Rəqabətli üstünlük:
IXYS IXFH13N100 elektron komponentlərində ixtisaslaşmışıq. IXFH13N100 sifarişdən sonra 24 saat ərzində göndərilə bilər. IXFH13N100 üçün hər hansı bir tələbiniz varsa, buraya kotirovka üçün bir sorğu göndərin və ya bizə bir e-poçt göndərin: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXFH13N100 Məhsul keyfiyyətləri

Hissə nömrəsi : IXFH13N100
İstehsalçı : IXYS
Təsvir : MOSFET N-CH 1000V 12.5A TO-247
Seriya : HiPerFET™
Hissə Vəziyyəti : Active
FET növü : N-Channel
Texnologiya : MOSFET (Metal Oxide)
Mənbə gərginliyinə axın (Vdss) : 1000V
Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C : 12.5A (Tc)
Sürət gərginliyi (Maks Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 900 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 4mA
Qapı şarjı (Qg) (Max) @ Vgs : 155nC @ 10V
Vgs (Maks) : ±20V
Giriş qabiliyyəti (Ciss) (Maks) @ Vds : 4000pF @ 25V
FET Feature : -
Gücün bölüşdürülməsi (Maks) : 300W (Tc)
Əməliyyat temperaturu : -55°C ~ 150°C (TJ)
Montaj növü : Through Hole
Təchizatçı cihaz paketi : TO-247AD (IXFH)
Paket / Case : TO-247-3