IXYS - IXFP10N80P

KEY Part #: K6395168

IXFP10N80P Qiymətləndirmə (USD) [26989ədəd Stok]

  • 1 pcs$1.68817
  • 50 pcs$1.67977

Hissə nömrəsi:
IXFP10N80P
İstehsalçı:
IXYS
Ətraflı Təsviri:
MOSFET N-CH 800V 10A TO-220.
Manufacturer's standard lead time:
Anbarda
Raf ömrü:
Bir il
Chip From:
Honq Konq
RoHS:
Ödəniş üsulu:
Göndərmə yolu:
Ailə Kateqoriyalarları:
KEY Componentlər Co, LTD məhsul kateqoriyalarını təklif edən Elektron komponentlər distribyutorudur: Transistorlar - Bipolyar (BJT) - Tək, Qeyri-qərəzl, Diodlar - Düzəldicilər - Tək, Transistorlar - Bipolyar (BJT) - RF, Transistorlar - Bipolyar (BJT) - Tək, Transistorlar - Bipolyar (BJT) - Seriallar, Qeyri-, Diodlar - Körpü Düzəldicilər, Diodlar - Zener - Subay and Tiristorlar - SCR - Modullar ...
Rəqabətli üstünlük:
IXYS IXFP10N80P elektron komponentlərində ixtisaslaşmışıq. IXFP10N80P sifarişdən sonra 24 saat ərzində göndərilə bilər. IXFP10N80P üçün hər hansı bir tələbiniz varsa, buraya kotirovka üçün bir sorğu göndərin və ya bizə bir e-poçt göndərin: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXFP10N80P Məhsul keyfiyyətləri

Hissə nömrəsi : IXFP10N80P
İstehsalçı : IXYS
Təsvir : MOSFET N-CH 800V 10A TO-220
Seriya : HiPerFET™, PolarHT™
Hissə Vəziyyəti : Active
FET növü : N-Channel
Texnologiya : MOSFET (Metal Oxide)
Mənbə gərginliyinə axın (Vdss) : 800V
Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C : 10A (Tc)
Sürət gərginliyi (Maks Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.1 Ohm @ 5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5.5V @ 2.5mA
Qapı şarjı (Qg) (Max) @ Vgs : 40nC @ 10V
Vgs (Maks) : ±30V
Giriş qabiliyyəti (Ciss) (Maks) @ Vds : 2050pF @ 25V
FET Feature : -
Gücün bölüşdürülməsi (Maks) : 300W (Tc)
Əməliyyat temperaturu : -55°C ~ 150°C (TJ)
Montaj növü : Through Hole
Təchizatçı cihaz paketi : TO-220AB
Paket / Case : TO-220-3