ON Semiconductor - FDN359BN

KEY Part #: K6395239

FDN359BN Qiymətləndirmə (USD) [668296ədəd Stok]

  • 1 pcs$0.05535

Hissə nömrəsi:
FDN359BN
İstehsalçı:
ON Semiconductor
Ətraflı Təsviri:
MOSFET N-CH 30V 2.7A SSOT3.
Manufacturer's standard lead time:
Anbarda
Raf ömrü:
Bir il
Chip From:
Honq Konq
RoHS:
Ödəniş üsulu:
Göndərmə yolu:
Ailə Kateqoriyalarları:
KEY Componentlər Co, LTD məhsul kateqoriyalarını təklif edən Elektron komponentlər distribyutorudur: Tiristorlar - SCR - Modullar, Transistorlar - Xüsusi Məqsəd, Transistorlar - JFETlər, Transistorlar - Bipolyar (BJT) - RF, Tiristorlar - DIAClar, SIDAClar, Diodlar - Düzəldicilər - Tək, Diodlar - Zener - Diziler and Transistorlar - IGBTs - Modullar ...
Rəqabətli üstünlük:
ON Semiconductor FDN359BN elektron komponentlərində ixtisaslaşmışıq. FDN359BN sifarişdən sonra 24 saat ərzində göndərilə bilər. FDN359BN üçün hər hansı bir tələbiniz varsa, buraya kotirovka üçün bir sorğu göndərin və ya bizə bir e-poçt göndərin: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FDN359BN Məhsul keyfiyyətləri

Hissə nömrəsi : FDN359BN
İstehsalçı : ON Semiconductor
Təsvir : MOSFET N-CH 30V 2.7A SSOT3
Seriya : PowerTrench®
Hissə Vəziyyəti : Active
FET növü : N-Channel
Texnologiya : MOSFET (Metal Oxide)
Mənbə gərginliyinə axın (Vdss) : 30V
Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C : 2.7A (Ta)
Sürət gərginliyi (Maks Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 46 mOhm @ 2.7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA
Qapı şarjı (Qg) (Max) @ Vgs : 7nC @ 5V
Vgs (Maks) : ±20V
Giriş qabiliyyəti (Ciss) (Maks) @ Vds : 650pF @ 15V
FET Feature : -
Gücün bölüşdürülməsi (Maks) : 500mW (Ta)
Əməliyyat temperaturu : -55°C ~ 150°C (TJ)
Montaj növü : Surface Mount
Təchizatçı cihaz paketi : SuperSOT-3
Paket / Case : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3