IXYS - IXTT10N100D2

KEY Part #: K6395169

IXTT10N100D2 Qiymətləndirmə (USD) [8899ədəd Stok]

  • 1 pcs$5.11938
  • 30 pcs$5.09391

Hissə nömrəsi:
IXTT10N100D2
İstehsalçı:
IXYS
Ətraflı Təsviri:
MOSFET N-CH 1000V 10A TO-267.
Manufacturer's standard lead time:
Anbarda
Raf ömrü:
Bir il
Chip From:
Honq Konq
RoHS:
Ödəniş üsulu:
Göndərmə yolu:
Ailə Kateqoriyalarları:
KEY Componentlər Co, LTD məhsul kateqoriyalarını təklif edən Elektron komponentlər distribyutorudur: Tiristorlar - SCR - Modullar, Güc Sürücü Modulları, Transistorlar - FETTlər, MOSFETlər - seriallar, Diodlar - Körpü Düzəldicilər, Tiristorlar - DIAClar, SIDAClar, Transistorlar - Bipolyar (BJT) - Tək, Transistorlar - Bipolyar (BJT) - Seriallar, Qeyri- and Diodlar - Zener - Subay ...
Rəqabətli üstünlük:
IXYS IXTT10N100D2 elektron komponentlərində ixtisaslaşmışıq. IXTT10N100D2 sifarişdən sonra 24 saat ərzində göndərilə bilər. IXTT10N100D2 üçün hər hansı bir tələbiniz varsa, buraya kotirovka üçün bir sorğu göndərin və ya bizə bir e-poçt göndərin: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXTT10N100D2 Məhsul keyfiyyətləri

Hissə nömrəsi : IXTT10N100D2
İstehsalçı : IXYS
Təsvir : MOSFET N-CH 1000V 10A TO-267
Seriya : -
Hissə Vəziyyəti : Active
FET növü : N-Channel
Texnologiya : MOSFET (Metal Oxide)
Mənbə gərginliyinə axın (Vdss) : 1000V
Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C : 10A (Tc)
Sürət gərginliyi (Maks Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.5 Ohm @ 5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : -
Qapı şarjı (Qg) (Max) @ Vgs : 200nC @ 5V
Vgs (Maks) : ±20V
Giriş qabiliyyəti (Ciss) (Maks) @ Vds : 5320pF @ 25V
FET Feature : Depletion Mode
Gücün bölüşdürülməsi (Maks) : 695W (Tc)
Əməliyyat temperaturu : -55°C ~ 150°C (TJ)
Montaj növü : Surface Mount
Təchizatçı cihaz paketi : TO-268
Paket / Case : TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA