IXYS - IXFT12N100Q

KEY Part #: K6408863

[481ədəd Stok]


    Hissə nömrəsi:
    IXFT12N100Q
    İstehsalçı:
    IXYS
    Ətraflı Təsviri:
    MOSFET N-CH 1000V 12A TO268.
    Manufacturer's standard lead time:
    Anbarda
    Raf ömrü:
    Bir il
    Chip From:
    Honq Konq
    RoHS:
    Ödəniş üsulu:
    Göndərmə yolu:
    Ailə Kateqoriyalarları:
    KEY Componentlər Co, LTD məhsul kateqoriyalarını təklif edən Elektron komponentlər distribyutorudur: Tiristorlar - SCR - Modullar, Tiristorlar - TRIACs, Tiristorlar - DIAClar, SIDAClar, Güc Sürücü Modulları, Diodlar - Dəyişən Kapasitans (Varikaplar, Varaktor, Transistorlar - Bipolyar (BJT) - Tək, Qeyri-qərəzl, Diodlar - Düzləşdiricilər - Diziler and Transistorlar - Bipolyar (BJT) - Ardıcıllıqlar ...
    Rəqabətli üstünlük:
    IXYS IXFT12N100Q elektron komponentlərində ixtisaslaşmışıq. IXFT12N100Q sifarişdən sonra 24 saat ərzində göndərilə bilər. IXFT12N100Q üçün hər hansı bir tələbiniz varsa, buraya kotirovka üçün bir sorğu göndərin və ya bizə bir e-poçt göndərin: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    IXFT12N100Q Məhsul keyfiyyətləri

    Hissə nömrəsi : IXFT12N100Q
    İstehsalçı : IXYS
    Təsvir : MOSFET N-CH 1000V 12A TO268
    Seriya : HiPerFET™
    Hissə Vəziyyəti : Obsolete
    FET növü : N-Channel
    Texnologiya : MOSFET (Metal Oxide)
    Mənbə gərginliyinə axın (Vdss) : 1000V
    Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C : 12A (Tc)
    Sürət gərginliyi (Maks Rds On, Min Rds On) : 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.05 Ohm @ 6A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 5.5V @ 4mA
    Qapı şarjı (Qg) (Max) @ Vgs : 90nC @ 10V
    Vgs (Maks) : ±20V
    Giriş qabiliyyəti (Ciss) (Maks) @ Vds : 2900pF @ 25V
    FET Feature : -
    Gücün bölüşdürülməsi (Maks) : 300W (Tc)
    Əməliyyat temperaturu : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Montaj növü : Surface Mount
    Təchizatçı cihaz paketi : TO-268
    Paket / Case : TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA