Hissə nömrəsi :
IXTP8N65X2
Təsvir :
MOSFET N-CH 650V 8A X2 TO-220
Texnologiya :
MOSFET (Metal Oxide)
Mənbə gərginliyinə axın (Vdss) :
650V
Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C :
8A (Tc)
Sürət gərginliyi (Maks Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
500 mOhm @ 4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5V @ 250µA
Qapı şarjı (Qg) (Max) @ Vgs :
12nC @ 10V
Giriş qabiliyyəti (Ciss) (Maks) @ Vds :
800pF @ 25V
Gücün bölüşdürülməsi (Maks) :
150W (Tc)
Əməliyyat temperaturu :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montaj növü :
Through Hole
Təchizatçı cihaz paketi :
TO-220