Hissə nömrəsi :
IXTD3N60P-2J
Hissə Vəziyyəti :
Last Time Buy
Texnologiya :
MOSFET (Metal Oxide)
Mənbə gərginliyinə axın (Vdss) :
600V
Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C :
3A (Tc)
Sürət gərginliyi (Maks Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
2.9 Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5.5V @ 50µA
Qapı şarjı (Qg) (Max) @ Vgs :
9.8nC @ 10V
Giriş qabiliyyəti (Ciss) (Maks) @ Vds :
411pF @ 25V
Gücün bölüşdürülməsi (Maks) :
70W (Tc)
Əməliyyat temperaturu :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montaj növü :
Surface Mount
Təchizatçı cihaz paketi :
Die