Infineon Technologies - IRF9Z34NSTRRPBF

KEY Part #: K6419913

IRF9Z34NSTRRPBF Qiymətləndirmə (USD) [143745ədəd Stok]

  • 1 pcs$0.25731
  • 800 pcs$0.24699

Hissə nömrəsi:
IRF9Z34NSTRRPBF
İstehsalçı:
Infineon Technologies
Ətraflı Təsviri:
MOSFET P-CH 55V 19A D2PAK.
Manufacturer's standard lead time:
Anbarda
Raf ömrü:
Bir il
Chip From:
Honq Konq
RoHS:
Ödəniş üsulu:
Göndərmə yolu:
Ailə Kateqoriyalarları:
KEY Componentlər Co, LTD məhsul kateqoriyalarını təklif edən Elektron komponentlər distribyutorudur: Transistorlar - Bipolyar (BJT) - Tək, Qeyri-qərəzl, Transistorlar - Xüsusi Məqsəd, Tiristorlar - SCRlər, Transistorlar - Proqramlaşdırıla bilən Birlik, Diodlar - Düzləşdiricilər - Diziler, Güc Sürücü Modulları, Tiristorlar - TRIACs and Transistorlar - Bipolyar (BJT) - Tək ...
Rəqabətli üstünlük:
Infineon Technologies IRF9Z34NSTRRPBF elektron komponentlərində ixtisaslaşmışıq. IRF9Z34NSTRRPBF sifarişdən sonra 24 saat ərzində göndərilə bilər. IRF9Z34NSTRRPBF üçün hər hansı bir tələbiniz varsa, buraya kotirovka üçün bir sorğu göndərin və ya bizə bir e-poçt göndərin: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRF9Z34NSTRRPBF Məhsul keyfiyyətləri

Hissə nömrəsi : IRF9Z34NSTRRPBF
İstehsalçı : Infineon Technologies
Təsvir : MOSFET P-CH 55V 19A D2PAK
Seriya : HEXFET®
Hissə Vəziyyəti : Not For New Designs
FET növü : P-Channel
Texnologiya : MOSFET (Metal Oxide)
Mənbə gərginliyinə axın (Vdss) : 55V
Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C : 19A (Tc)
Sürət gərginliyi (Maks Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 100 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Qapı şarjı (Qg) (Max) @ Vgs : 35nC @ 10V
Vgs (Maks) : ±20V
Giriş qabiliyyəti (Ciss) (Maks) @ Vds : 620pF @ 25V
FET Feature : -
Gücün bölüşdürülməsi (Maks) : 3.8W (Ta), 68W (Tc)
Əməliyyat temperaturu : -55°C ~ 175°C (TJ)
Montaj növü : Surface Mount
Təchizatçı cihaz paketi : D2PAK
Paket / Case : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB