Hissə nömrəsi :
DMJ70H1D3SI3
İstehsalçı :
Diodes Incorporated
Təsvir :
MOSFET N-CH 700V 4.6A TO251
Texnologiya :
MOSFET (Metal Oxide)
Mənbə gərginliyinə axın (Vdss) :
700V
Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C :
4.6A (Tc)
Sürət gərginliyi (Maks Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
1.3 Ohm @ 2.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Qapı şarjı (Qg) (Max) @ Vgs :
13.9nC @ 10V
Giriş qabiliyyəti (Ciss) (Maks) @ Vds :
351pF @ 50V
Gücün bölüşdürülməsi (Maks) :
41W (Tc)
Əməliyyat temperaturu :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montaj növü :
Through Hole
Təchizatçı cihaz paketi :
TO-251
Paket / Case :
TO-251-3 Stub Leads, IPak