Toshiba Semiconductor and Storage - TK100A06N1,S4X

KEY Part #: K6397722

TK100A06N1,S4X Qiymətləndirmə (USD) [34131ədəd Stok]

  • 1 pcs$1.32651
  • 50 pcs$1.01640
  • 100 pcs$0.91476
  • 500 pcs$0.71148
  • 1,000 pcs$0.58951

Hissə nömrəsi:
TK100A06N1,S4X
İstehsalçı:
Toshiba Semiconductor and Storage
Ətraflı Təsviri:
MOSFET N-CH 60V 100A TO-220.
Manufacturer's standard lead time:
Anbarda
Raf ömrü:
Bir il
Chip From:
Honq Konq
RoHS:
Ödəniş üsulu:
Göndərmə yolu:
Ailə Kateqoriyalarları:
KEY Componentlər Co, LTD məhsul kateqoriyalarını təklif edən Elektron komponentlər distribyutorudur: Transistorlar - FET, MOSFETlər - Tək, Transistorlar - Xüsusi Məqsəd, Diodlar - RF, Transistorlar - Bipolyar (BJT) - Seriallar, Qeyri-, Transistorlar - FET, MOSFETlər - RF, Transistorlar - JFETlər, Tiristorlar - TRIACs and Transistorlar - FETTlər, MOSFETlər - seriallar ...
Rəqabətli üstünlük:
Toshiba Semiconductor and Storage TK100A06N1,S4X elektron komponentlərində ixtisaslaşmışıq. TK100A06N1,S4X sifarişdən sonra 24 saat ərzində göndərilə bilər. TK100A06N1,S4X üçün hər hansı bir tələbiniz varsa, buraya kotirovka üçün bir sorğu göndərin və ya bizə bir e-poçt göndərin: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

TK100A06N1,S4X Məhsul keyfiyyətləri

Hissə nömrəsi : TK100A06N1,S4X
İstehsalçı : Toshiba Semiconductor and Storage
Təsvir : MOSFET N-CH 60V 100A TO-220
Seriya : U-MOSVIII-H
Hissə Vəziyyəti : Active
FET növü : N-Channel
Texnologiya : MOSFET (Metal Oxide)
Mənbə gərginliyinə axın (Vdss) : 60V
Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C : 100A (Tc)
Sürət gərginliyi (Maks Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2.7 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 1mA
Qapı şarjı (Qg) (Max) @ Vgs : 140nC @ 10V
Vgs (Maks) : ±20V
Giriş qabiliyyəti (Ciss) (Maks) @ Vds : 10500pF @ 30V
FET Feature : -
Gücün bölüşdürülməsi (Maks) : 45W (Tc)
Əməliyyat temperaturu : 150°C (TJ)
Montaj növü : Through Hole
Təchizatçı cihaz paketi : TO-220SIS
Paket / Case : TO-220-3 Full Pack

Maraqlı ola bilərsiniz
  • TN0106N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 60V 350MA TO92-3.

  • FDD9407L-F085

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 40V 100A.

  • FDD86250-F085

    ON Semiconductor

    NMOS DPAK 150V 22 MOHM.

  • TK58A06N1,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 60V 58A TO-220.

  • TK34A10N1,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 100V 34A TO-220.

  • TK100A06N1,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 60V 100A TO-220.