IXYS - IXTH3N200P3HV

KEY Part #: K6394579

IXTH3N200P3HV Qiymətləndirmə (USD) [4301ədəd Stok]

  • 1 pcs$11.07750
  • 10 pcs$10.24820
  • 100 pcs$8.75271

Hissə nömrəsi:
IXTH3N200P3HV
İstehsalçı:
IXYS
Ətraflı Təsviri:
MOSFET N-CH 2000V 3A TO-247.
Manufacturer's standard lead time:
Anbarda
Raf ömrü:
Bir il
Chip From:
Honq Konq
RoHS:
Ödəniş üsulu:
Göndərmə yolu:
Ailə Kateqoriyalarları:
KEY Componentlər Co, LTD məhsul kateqoriyalarını təklif edən Elektron komponentlər distribyutorudur: Transistorlar - JFETlər, Transistorlar - Bipolyar (BJT) - RF, Güc Sürücü Modulları, Transistorlar - FET, MOSFETlər - Tək, Transistorlar - FET, MOSFETlər - RF, Tiristorlar - SCR - Modullar, Transistorlar - Bipolyar (BJT) - Ardıcıllıqlar and Diodlar - RF ...
Rəqabətli üstünlük:
IXYS IXTH3N200P3HV elektron komponentlərində ixtisaslaşmışıq. IXTH3N200P3HV sifarişdən sonra 24 saat ərzində göndərilə bilər. IXTH3N200P3HV üçün hər hansı bir tələbiniz varsa, buraya kotirovka üçün bir sorğu göndərin və ya bizə bir e-poçt göndərin: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXTH3N200P3HV Məhsul keyfiyyətləri

Hissə nömrəsi : IXTH3N200P3HV
İstehsalçı : IXYS
Təsvir : MOSFET N-CH 2000V 3A TO-247
Seriya : -
Hissə Vəziyyəti : Active
FET növü : N-Channel
Texnologiya : MOSFET (Metal Oxide)
Mənbə gərginliyinə axın (Vdss) : 2000V
Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C : 3A (Tc)
Sürət gərginliyi (Maks Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 8 Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 250µA
Qapı şarjı (Qg) (Max) @ Vgs : 70nC @ 10V
Vgs (Maks) : ±20V
Giriş qabiliyyəti (Ciss) (Maks) @ Vds : 1860pF @ 25V
FET Feature : -
Gücün bölüşdürülməsi (Maks) : 520W (Tc)
Əməliyyat temperaturu : -55°C ~ 150°C (TJ)
Montaj növü : Through Hole
Təchizatçı cihaz paketi : TO-247
Paket / Case : TO-247-3