IXYS - IXFM67N10

KEY Part #: K6400904

[3236ədəd Stok]


    Hissə nömrəsi:
    IXFM67N10
    İstehsalçı:
    IXYS
    Ətraflı Təsviri:
    POWER MOSFET TO-3.
    Manufacturer's standard lead time:
    Anbarda
    Raf ömrü:
    Bir il
    Chip From:
    Honq Konq
    RoHS:
    Ödəniş üsulu:
    Göndərmə yolu:
    Ailə Kateqoriyalarları:
    KEY Componentlər Co, LTD məhsul kateqoriyalarını təklif edən Elektron komponentlər distribyutorudur: Tiristorlar - SCR - Modullar, Transistorlar - Xüsusi Məqsəd, Tiristorlar - DIAClar, SIDAClar, Transistorlar - IGBTs - Modullar, Transistorlar - Bipolyar (BJT) - RF, Transistorlar - Bipolyar (BJT) - Ardıcıllıqlar, Diodlar - Dəyişən Kapasitans (Varikaplar, Varaktor and Transistorlar - FETTlər, MOSFETlər - seriallar ...
    Rəqabətli üstünlük:
    IXYS IXFM67N10 elektron komponentlərində ixtisaslaşmışıq. IXFM67N10 sifarişdən sonra 24 saat ərzində göndərilə bilər. IXFM67N10 üçün hər hansı bir tələbiniz varsa, buraya kotirovka üçün bir sorğu göndərin və ya bizə bir e-poçt göndərin: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    IXFM67N10 Məhsul keyfiyyətləri

    Hissə nömrəsi : IXFM67N10
    İstehsalçı : IXYS
    Təsvir : POWER MOSFET TO-3
    Seriya : HiPerFET™
    Hissə Vəziyyəti : Last Time Buy
    FET növü : N-Channel
    Texnologiya : MOSFET (Metal Oxide)
    Mənbə gərginliyinə axın (Vdss) : 100V
    Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C : 67A (Tc)
    Sürət gərginliyi (Maks Rds On, Min Rds On) : 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 25 mOhm @ 33.5A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 4mA
    Qapı şarjı (Qg) (Max) @ Vgs : 260nC @ 10V
    Vgs (Maks) : ±20V
    Giriş qabiliyyəti (Ciss) (Maks) @ Vds : 4500pF @ 25V
    FET Feature : -
    Gücün bölüşdürülməsi (Maks) : 300W (Tc)
    Əməliyyat temperaturu : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Montaj növü : Through Hole
    Təchizatçı cihaz paketi : TO-204AE
    Paket / Case : TO-204AE