Infineon Technologies - F3L200R07PE4BOSA1

KEY Part #: K6532701

F3L200R07PE4BOSA1 Qiymətləndirmə (USD) [637ədəd Stok]

  • 1 pcs$72.89284

Hissə nömrəsi:
F3L200R07PE4BOSA1
İstehsalçı:
Infineon Technologies
Ətraflı Təsviri:
IGBT MODULE VCES 650V 200A.
Manufacturer's standard lead time:
Anbarda
Raf ömrü:
Bir il
Chip From:
Honq Konq
RoHS:
Ödəniş üsulu:
Göndərmə yolu:
Ailə Kateqoriyalarları:
KEY Componentlər Co, LTD məhsul kateqoriyalarını təklif edən Elektron komponentlər distribyutorudur: Transistorlar - Bipolyar (BJT) - Tək, Qeyri-qərəzl, Tiristorlar - TRIACs, Transistorlar - Bipolyar (BJT) - Ardıcıllıqlar, Transistorlar - IGBTs - Subay, Diodlar - Düzləşdiricilər - Diziler, Tiristorlar - DIAClar, SIDAClar, Transistorlar - FETTlər, MOSFETlər - seriallar and Transistorlar - Proqramlaşdırıla bilən Birlik ...
Rəqabətli üstünlük:
Infineon Technologies F3L200R07PE4BOSA1 elektron komponentlərində ixtisaslaşmışıq. F3L200R07PE4BOSA1 sifarişdən sonra 24 saat ərzində göndərilə bilər. F3L200R07PE4BOSA1 üçün hər hansı bir tələbiniz varsa, buraya kotirovka üçün bir sorğu göndərin və ya bizə bir e-poçt göndərin: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

F3L200R07PE4BOSA1 Məhsul keyfiyyətləri

Hissə nömrəsi : F3L200R07PE4BOSA1
İstehsalçı : Infineon Technologies
Təsvir : IGBT MODULE VCES 650V 200A
Seriya : -
Hissə Vəziyyəti : Active
IGBT növü : Trench Field Stop
Konfiqurasiya : Three Phase Inverter
Gərginlik - Kolleksiyaçı Emitter Qırılması (Maks) : 650V
Cari - Kolleksiyaçı (Ic) (Max) : 200A
Gücü - Maks : 680W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic : 1.95V @ 15V, 200A
Cari - Kolleksiyaçı Kəsimi (Maks) : 1mA
Giriş qabiliyyəti (Cies) @ Vce : 12.5nF @ 25V
Giriş : Standard
NTC Termistor : Yes
Əməliyyat temperaturu : -40°C ~ 150°C
Montaj növü : Chassis Mount
Paket / Case : Module
Təchizatçı cihaz paketi : Module

Maraqlı ola bilərsiniz
  • CPV363M4K

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 6A IMS-2.

  • CPV362M4K

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 31 IMS-2.

  • CPV362M4U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 3.9A IMS-2.

  • CPV363M4U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 6.8A IMS-2.

  • A2C25S12M3-F

    STMicroelectronics

    IGBT TRENCH 1200V 25A ACEPACK2.

  • A2C35S12M3-F

    STMicroelectronics

    IGBT TRENCH 1200V 35A ACEPACK2.