STMicroelectronics - A2C35S12M3-F

KEY Part #: K6532679

A2C35S12M3-F Qiymətləndirmə (USD) [1702ədəd Stok]

  • 1 pcs$25.44444

Hissə nömrəsi:
A2C35S12M3-F
İstehsalçı:
STMicroelectronics
Ətraflı Təsviri:
IGBT TRENCH 1200V 35A ACEPACK2.
Manufacturer's standard lead time:
Anbarda
Raf ömrü:
Bir il
Chip From:
Honq Konq
RoHS:
Ödəniş üsulu:
Göndərmə yolu:
Ailə Kateqoriyalarları:
KEY Componentlər Co, LTD məhsul kateqoriyalarını təklif edən Elektron komponentlər distribyutorudur: Transistorlar - IGBTs - Subay, Tiristorlar - SCRlər, Transistorlar - Bipolyar (BJT) - Ardıcıllıqlar, Transistorlar - FETTlər, MOSFETlər - seriallar, Diodlar - Düzəldicilər - Tək, Transistorlar - Xüsusi Məqsəd, Güc Sürücü Modulları and Transistorlar - Bipolyar (BJT) - Tək, Qeyri-qərəzl ...
Rəqabətli üstünlük:
STMicroelectronics A2C35S12M3-F elektron komponentlərində ixtisaslaşmışıq. A2C35S12M3-F sifarişdən sonra 24 saat ərzində göndərilə bilər. A2C35S12M3-F üçün hər hansı bir tələbiniz varsa, buraya kotirovka üçün bir sorğu göndərin və ya bizə bir e-poçt göndərin: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

A2C35S12M3-F Məhsul keyfiyyətləri

Hissə nömrəsi : A2C35S12M3-F
İstehsalçı : STMicroelectronics
Təsvir : IGBT TRENCH 1200V 35A ACEPACK2
Seriya : -
Hissə Vəziyyəti : Active
IGBT növü : Trench Field Stop
Konfiqurasiya : Three Phase Inverter with Brake
Gərginlik - Kolleksiyaçı Emitter Qırılması (Maks) : 1200V
Cari - Kolleksiyaçı (Ic) (Max) : 35A
Gücü - Maks : 250W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic : 2.45V @ 15V, 35A
Cari - Kolleksiyaçı Kəsimi (Maks) : 100µA
Giriş qabiliyyəti (Cies) @ Vce : 2154pF @ 25V
Giriş : Three Phase Bridge Rectifier
NTC Termistor : Yes
Əməliyyat temperaturu : -40°C ~ 150°C (TJ)
Montaj növü : Chassis Mount
Paket / Case : Module
Təchizatçı cihaz paketi : ACEPACK™ 2

Maraqlı ola bilərsiniz
  • CPV363M4K

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 6A IMS-2.

  • CPV362M4K

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 31 IMS-2.

  • CPV362M4U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 3.9A IMS-2.

  • CPV363M4U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 6.8A IMS-2.

  • A2C25S12M3-F

    STMicroelectronics

    IGBT TRENCH 1200V 25A ACEPACK2.

  • A2C35S12M3-F

    STMicroelectronics

    IGBT TRENCH 1200V 35A ACEPACK2.