Infineon Technologies - DF1000R17IE4BOSA1

KEY Part #: K6533655

DF1000R17IE4BOSA1 Qiymətləndirmə (USD) [168ədəd Stok]

  • 1 pcs$273.90251

Hissə nömrəsi:
DF1000R17IE4BOSA1
İstehsalçı:
Infineon Technologies
Ətraflı Təsviri:
IGBT MODULE 1700V 1000A.
Manufacturer's standard lead time:
Anbarda
Raf ömrü:
Bir il
Chip From:
Honq Konq
RoHS:
Ödəniş üsulu:
Göndərmə yolu:
Ailə Kateqoriyalarları:
KEY Componentlər Co, LTD məhsul kateqoriyalarını təklif edən Elektron komponentlər distribyutorudur: Diodlar - RF, Transistorlar - FET, MOSFETlər - Tək, Diodlar - Dəyişən Kapasitans (Varikaplar, Varaktor, Transistorlar - Bipolyar (BJT) - Tək, Diodlar - Körpü Düzəldicilər, Transistorlar - Bipolyar (BJT) - Tək, Qeyri-qərəzl, Transistorlar - Xüsusi Məqsəd and Diodlar - Zener - Diziler ...
Rəqabətli üstünlük:
Infineon Technologies DF1000R17IE4BOSA1 elektron komponentlərində ixtisaslaşmışıq. DF1000R17IE4BOSA1 sifarişdən sonra 24 saat ərzində göndərilə bilər. DF1000R17IE4BOSA1 üçün hər hansı bir tələbiniz varsa, buraya kotirovka üçün bir sorğu göndərin və ya bizə bir e-poçt göndərin: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DF1000R17IE4BOSA1 Məhsul keyfiyyətləri

Hissə nömrəsi : DF1000R17IE4BOSA1
İstehsalçı : Infineon Technologies
Təsvir : IGBT MODULE 1700V 1000A
Seriya : -
Hissə Vəziyyəti : Active
IGBT növü : -
Konfiqurasiya : Single
Gərginlik - Kolleksiyaçı Emitter Qırılması (Maks) : 1700V
Cari - Kolleksiyaçı (Ic) (Max) : -
Gücü - Maks : 6250W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic : 2.45V @ 15V, 1000A
Cari - Kolleksiyaçı Kəsimi (Maks) : 5mA
Giriş qabiliyyəti (Cies) @ Vce : 81nF @ 25V
Giriş : Standard
NTC Termistor : Yes
Əməliyyat temperaturu : -40°C ~ 150°C
Montaj növü : Chassis Mount
Paket / Case : Module
Təchizatçı cihaz paketi : Module

Maraqlı ola bilərsiniz
  • VS-GT175DA120U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 1200V 288A 1087W SOT-227.

  • VS-CPV363M4KPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    MOD IGBT 3PHASE INV 600V SIP.

  • VS-GT100NA120UX

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 1200V 134A 463W SOT-227.

  • VS-GT100LA120UX

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 1200V 134A 463W SOT-227.

  • VS-GT100DA60U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 600V 184A 577W SOT-227.

  • VS-GT100DA120U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 1200V 258A 893W SOT-227.