Infineon Technologies - IPN60R360P7SATMA1

KEY Part #: K6420476

IPN60R360P7SATMA1 Qiymətləndirmə (USD) [198601ədəd Stok]

  • 1 pcs$0.18624
  • 3,000 pcs$0.16762

Hissə nömrəsi:
IPN60R360P7SATMA1
İstehsalçı:
Infineon Technologies
Ətraflı Təsviri:
MOSFET N-CHANNEL 600V 9A SOT223.
Manufacturer's standard lead time:
Anbarda
Raf ömrü:
Bir il
Chip From:
Honq Konq
RoHS:
Ödəniş üsulu:
Göndərmə yolu:
Ailə Kateqoriyalarları:
KEY Componentlər Co, LTD məhsul kateqoriyalarını təklif edən Elektron komponentlər distribyutorudur: Güc Sürücü Modulları, Transistorlar - IGBTs - seriallar, Diodlar - Körpü Düzəldicilər, Tiristorlar - TRIACs, Tiristorlar - DIAClar, SIDAClar, Tiristorlar - SCRlər, Transistorlar - Proqramlaşdırıla bilən Birlik and Transistorlar - JFETlər ...
Rəqabətli üstünlük:
Infineon Technologies IPN60R360P7SATMA1 elektron komponentlərində ixtisaslaşmışıq. IPN60R360P7SATMA1 sifarişdən sonra 24 saat ərzində göndərilə bilər. IPN60R360P7SATMA1 üçün hər hansı bir tələbiniz varsa, buraya kotirovka üçün bir sorğu göndərin və ya bizə bir e-poçt göndərin: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPN60R360P7SATMA1 Məhsul keyfiyyətləri

Hissə nömrəsi : IPN60R360P7SATMA1
İstehsalçı : Infineon Technologies
Təsvir : MOSFET N-CHANNEL 600V 9A SOT223
Seriya : CoolMOS™ P7
Hissə Vəziyyəti : Active
FET növü : N-Channel
Texnologiya : MOSFET (Metal Oxide)
Mənbə gərginliyinə axın (Vdss) : 600V
Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C : 9A (Tc)
Sürət gərginliyi (Maks Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 360 mOhm @ 2.7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 140µA
Qapı şarjı (Qg) (Max) @ Vgs : 13nC @ 10V
Vgs (Maks) : ±20V
Giriş qabiliyyəti (Ciss) (Maks) @ Vds : 555pF @ 400V
FET Feature : -
Gücün bölüşdürülməsi (Maks) : 7W (Tc)
Əməliyyat temperaturu : -40°C ~ 150°C (TJ)
Montaj növü : Surface Mount
Təchizatçı cihaz paketi : PG-SOT223
Paket / Case : TO-261-3

Maraqlı ola bilərsiniz