IXYS - IXTA1R6N100D2HV

KEY Part #: K6394711

IXTA1R6N100D2HV Qiymətləndirmə (USD) [36141ədəd Stok]

  • 1 pcs$1.08188

Hissə nömrəsi:
IXTA1R6N100D2HV
İstehsalçı:
IXYS
Ətraflı Təsviri:
MOSFET N-CH.
Manufacturer's standard lead time:
Anbarda
Raf ömrü:
Bir il
Chip From:
Honq Konq
RoHS:
Ödəniş üsulu:
Göndərmə yolu:
Ailə Kateqoriyalarları:
KEY Componentlər Co, LTD məhsul kateqoriyalarını təklif edən Elektron komponentlər distribyutorudur: Transistorlar - FET, MOSFETlər - RF, Transistorlar - Bipolyar (BJT) - Tək, Güc Sürücü Modulları, Tiristorlar - DIAClar, SIDAClar, Diodlar - Düzləşdiricilər - Diziler, Transistorlar - Bipolyar (BJT) - Tək, Qeyri-qərəzl, Transistorlar - IGBTs - Modullar and Transistorlar - Proqramlaşdırıla bilən Birlik ...
Rəqabətli üstünlük:
IXYS IXTA1R6N100D2HV elektron komponentlərində ixtisaslaşmışıq. IXTA1R6N100D2HV sifarişdən sonra 24 saat ərzində göndərilə bilər. IXTA1R6N100D2HV üçün hər hansı bir tələbiniz varsa, buraya kotirovka üçün bir sorğu göndərin və ya bizə bir e-poçt göndərin: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXTA1R6N100D2HV Məhsul keyfiyyətləri

Hissə nömrəsi : IXTA1R6N100D2HV
İstehsalçı : IXYS
Təsvir : MOSFET N-CH
Seriya : -
Hissə Vəziyyəti : Active
FET növü : N-Channel
Texnologiya : MOSFET (Metal Oxide)
Mənbə gərginliyinə axın (Vdss) : 1000V
Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C : 1.6A (Tj)
Sürət gərginliyi (Maks Rds On, Min Rds On) : 0V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 10 Ohm @ 800mA, 0V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 100µA
Qapı şarjı (Qg) (Max) @ Vgs : 27nC @ 5V
Vgs (Maks) : ±20V
Giriş qabiliyyəti (Ciss) (Maks) @ Vds : 645pF @ 10V
FET Feature : Depletion Mode
Gücün bölüşdürülməsi (Maks) : 100W (Tc)
Əməliyyat temperaturu : -55°C ~ 150°C (TJ)
Montaj növü : Surface Mount
Təchizatçı cihaz paketi : TO-263HV
Paket / Case : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB