IXYS - IXFT12N100

KEY Part #: K6408873

IXFT12N100 Qiymətləndirmə (USD) [6642ədəd Stok]

  • 1 pcs$7.17075
  • 30 pcs$7.13508

Hissə nömrəsi:
IXFT12N100
İstehsalçı:
IXYS
Ətraflı Təsviri:
MOSFET N-CH 1000V 12A TO-268.
Manufacturer's standard lead time:
Anbarda
Raf ömrü:
Bir il
Chip From:
Honq Konq
RoHS:
Ödəniş üsulu:
Göndərmə yolu:
Ailə Kateqoriyalarları:
KEY Componentlər Co, LTD məhsul kateqoriyalarını təklif edən Elektron komponentlər distribyutorudur: Transistorlar - Bipolyar (BJT) - Ardıcıllıqlar, Transistorlar - FET, MOSFETlər - RF, Transistorlar - Bipolyar (BJT) - RF, Diodlar - Düzəldicilər - Tək, Tiristorlar - SCR - Modullar, Transistorlar - IGBTs - seriallar, Transistorlar - JFETlər and Transistorlar - IGBTs - Subay ...
Rəqabətli üstünlük:
IXYS IXFT12N100 elektron komponentlərində ixtisaslaşmışıq. IXFT12N100 sifarişdən sonra 24 saat ərzində göndərilə bilər. IXFT12N100 üçün hər hansı bir tələbiniz varsa, buraya kotirovka üçün bir sorğu göndərin və ya bizə bir e-poçt göndərin: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXFT12N100 Məhsul keyfiyyətləri

Hissə nömrəsi : IXFT12N100
İstehsalçı : IXYS
Təsvir : MOSFET N-CH 1000V 12A TO-268
Seriya : HiPerFET™
Hissə Vəziyyəti : Active
FET növü : N-Channel
Texnologiya : MOSFET (Metal Oxide)
Mənbə gərginliyinə axın (Vdss) : 1000V
Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C : 12A (Tc)
Sürət gərginliyi (Maks Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.05 Ohm @ 6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 4mA
Qapı şarjı (Qg) (Max) @ Vgs : 155nC @ 10V
Vgs (Maks) : ±20V
Giriş qabiliyyəti (Ciss) (Maks) @ Vds : 4000pF @ 25V
FET Feature : -
Gücün bölüşdürülməsi (Maks) : 300W (Tc)
Əməliyyat temperaturu : -55°C ~ 150°C (TJ)
Montaj növü : Surface Mount
Təchizatçı cihaz paketi : TO-268
Paket / Case : TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA