BAS19-HE3-08 Qiymətləndirmə (USD) [2884683ədəd Stok]
- 1 pcs$0.01282
- 15,000 pcs$0.01186
- Hissə nömrəsi:
- BAS19-HE3-08
- İstehsalçı:
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- Ətraflı Təsviri:
- DIODE GEN PURP 100V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching 120 Volt 625mA 50ns
- Manufacturer's standard lead time:
- Anbarda
- Raf ömrü:
- Bir il
- Chip From:
- Honq Konq
- RoHS:
- Ödəniş üsulu:
-
- Göndərmə yolu:
- Ailə Kateqoriyalarları:
- KEY Componentlər Co, LTD məhsul kateqoriyalarını təklif edən Elektron komponentlər distribyutorudur: Diodlar - Körpü Düzəldicilər, Diodlar - RF, Diodlar - Zener - Subay, Güc Sürücü Modulları, Diodlar - Düzləşdiricilər - Diziler, Transistorlar - IGBTs - seriallar, Tiristorlar - DIAClar, SIDAClar and Transistorlar - FET, MOSFETlər - RF ...
- Rəqabətli üstünlük:
- Vishay Semiconductor Diodes Division BAS19-HE3-08 elektron komponentlərində ixtisaslaşmışıq. BAS19-HE3-08 sifarişdən sonra 24 saat ərzində göndərilə bilər. BAS19-HE3-08 üçün hər hansı bir tələbiniz varsa, buraya kotirovka üçün bir sorğu göndərin və ya bizə bir e-poçt göndərin: rfq@key-components.com
BAS19-HE3-08 Məhsul keyfiyyətləri
Hissə nömrəsi :
BAS19-HE3-08
İstehsalçı :
Vishay Semiconductor Diodes Division
Təsvir :
DIODE GEN PURP 100V 200MA SOT23
Seriya :
Automotive, AEC-Q101
Hissə Vəziyyəti :
Active
Diod növü :
Standard
Gərginlik - DC tərs (Vr) (Maks) :
100V
Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) :
200mA
Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ Əgər :
1.25V @ 200mA
Sürət :
Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Geri Bərpa Vaxtı (trr) :
50ns
Cari - Tərs Sızma @ Vr :
100nA @ 100V
Kapasitans @ Vr, F :
5pF @ 0V, 1MHz
Montaj növü :
Surface Mount
Paket / Case :
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Təchizatçı cihaz paketi :
SOT-23
Əməliyyat temperaturu - qovşaq :
-55°C ~ 150°C
Son xəbərlər
Maraqlı ola bilərsiniz
-
BAL74E6327HTSA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 50V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Switch Diode 250mA
-
BAT54T
ON Semiconductor
DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOT523. Schottky Diodes & Rectifiers 0.2A,30V,Surf Mt SCHOTTKY Barr DIODE
-
BAS21E6433HTMA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 200V 250MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Switch Diode
-
BAS116E6433HTMA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Low Leakage Diode
-
-
BAL99E6327HTSA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Tuning Diode
İsti hissələr
- D251N14BXPSA1
- SB350-B
- APD140VD-G1
- LL103C-7
- NSR10F40QNXT5G
- F1857D400
- GP10-4003E-M3/54
- CD0603-B0230
- VS-60CPF12PBF
- 1N3890A
- SSB43LHE3/52T
- ESH2PD-E3/84A
- RP 1HV1
- PMEG2005AEA/DG,115
- SB350S-E3/54
- 1N1205BR
- MR851RL
- EGP50AHE3/54
- 1N4247GPHE3/54
- BYD33JGP-E3/73
- BAS 3020B E6327
- SBL1640
- MUR450PFRLG
- D121K18BXPSA1
- FFPF05U60STTU
- 241NQ045R
- S20420
- 30WQ03FN
- VS-31DQ06
- CDLL1A50
- D170S25BS1XPSA1
- UH2C-M3/52T
- STPSC4H065DI
- RG 2V
- RFN2LAM4STR
- AS3BD-M3/I
- EGL34F-E3/83
- RF08L6STE25
- S3M M6G
- GP10A-E3/54
选择你的位置