BAS21E6433HTMA1 Qiymətləndirmə (USD) [3658896ədəd Stok]
- 1 pcs$0.01110
- 10,000 pcs$0.01105
- Hissə nömrəsi:
- BAS21E6433HTMA1
- İstehsalçı:
- Infineon Technologies
- Ətraflı Təsviri:
- DIODE GEN PURP 200V 250MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Switch Diode
- Manufacturer's standard lead time:
- Anbarda
- Raf ömrü:
- Bir il
- Chip From:
- Honq Konq
- RoHS:
- Ödəniş üsulu:
-
- Göndərmə yolu:
- Ailə Kateqoriyalarları:
- KEY Componentlər Co, LTD məhsul kateqoriyalarını təklif edən Elektron komponentlər distribyutorudur: Transistorlar - Bipolyar (BJT) - Seriallar, Qeyri-, Transistorlar - Xüsusi Məqsəd, Tiristorlar - SCRlər, Transistorlar - FET, MOSFETlər - RF, Diodlar - Zener - Diziler, Transistorlar - JFETlər, Transistorlar - Bipolyar (BJT) - RF and Tiristorlar - TRIACs ...
- Rəqabətli üstünlük:
- Infineon Technologies BAS21E6433HTMA1 elektron komponentlərində ixtisaslaşmışıq. BAS21E6433HTMA1 sifarişdən sonra 24 saat ərzində göndərilə bilər. BAS21E6433HTMA1 üçün hər hansı bir tələbiniz varsa, buraya kotirovka üçün bir sorğu göndərin və ya bizə bir e-poçt göndərin: rfq@key-components.com
BAS21E6433HTMA1 Məhsul keyfiyyətləri
Hissə nömrəsi :
BAS21E6433HTMA1
İstehsalçı :
Infineon Technologies
Təsvir :
DIODE GEN PURP 200V 250MA SOT23
Seriya :
-
Hissə Vəziyyəti :
Last Time Buy
Diod növü :
Standard
Gərginlik - DC tərs (Vr) (Maks) :
200V
Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) :
250mA (DC)
Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ Əgər :
1.25V @ 200mA
Sürət :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Geri Bərpa Vaxtı (trr) :
50ns
Cari - Tərs Sızma @ Vr :
100nA @ 200V
Kapasitans @ Vr, F :
5pF @ 0V, 1MHz
Montaj növü :
Surface Mount
Paket / Case :
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Təchizatçı cihaz paketi :
SOT-23-3
Əməliyyat temperaturu - qovşaq :
150°C (Max)
Son xəbərlər
Maraqlı ola bilərsiniz
-
BAL74E6327HTSA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 50V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Switch Diode 250mA
-
BAT54T
ON Semiconductor
DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOT523. Schottky Diodes & Rectifiers 0.2A,30V,Surf Mt SCHOTTKY Barr DIODE
-
BAS21E6433HTMA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 200V 250MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Switch Diode
-
BAS116E6433HTMA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Low Leakage Diode
-
-
BAL99E6327HTSA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Tuning Diode
İsti hissələr
- BYV60W-600PQ
- 1N5821-A
- 1N4007-N-2-2-BP
- 1N6763
- 1N6843
- JANTX1N6843CCU3
- IDK03G65C5XTMA1
- MBRS3201PT3G
- GDP30P120B
- VS-6TQ035-N3
- VS-10ETF02STRLPBF
- V30120SHM3/4W
- RGP10KHM3/54
- S42160
- SB10-03A2-BT
- 1N3909A
- MBRB1050HE3/45
- S5GHE3/57T
- STTH5BCF060
- SRP300K-E3/54
- 70UR60G BK R
- GP15BHE3/73
- MDO1200-22N1
- IDD10SG60CXTMA1
- 1N4001GP
- BAS21_ND87Z
- VS-30BQ040TRPBF
- VS-10TQ045SPBF
- RS1D/1
- 8ETX06STRL
- MA27D2700L
- 181NQ045
- VS-90SQ045
- MBR1045/45
- HER203-AP
- CDLL0.5A30
- STPSC12065D
- RB068M-60TR
- HS3A M6G
- 1N4002GP-E3/73
选择你的位置