IXYS - IXFH18N100Q3

KEY Part #: K6395213

IXFH18N100Q3 Qiymətləndirmə (USD) [7800ədəd Stok]

  • 1 pcs$6.10597
  • 90 pcs$6.07559

Hissə nömrəsi:
IXFH18N100Q3
İstehsalçı:
IXYS
Ətraflı Təsviri:
MOSFET N-CH 1000V 18A TO-247.
Manufacturer's standard lead time:
Anbarda
Raf ömrü:
Bir il
Chip From:
Honq Konq
RoHS:
Ödəniş üsulu:
Göndərmə yolu:
Ailə Kateqoriyalarları:
KEY Componentlər Co, LTD məhsul kateqoriyalarını təklif edən Elektron komponentlər distribyutorudur: Tiristorlar - SCR - Modullar, Transistorlar - FET, MOSFETlər - Tək, Tiristorlar - SCRlər, Transistorlar - Bipolyar (BJT) - Ardıcıllıqlar, Diodlar - Düzəldicilər - Tək, Tiristorlar - TRIACs, Diodlar - Zener - Subay and Transistorlar - Bipolyar (BJT) - Tək ...
Rəqabətli üstünlük:
IXYS IXFH18N100Q3 elektron komponentlərində ixtisaslaşmışıq. IXFH18N100Q3 sifarişdən sonra 24 saat ərzində göndərilə bilər. IXFH18N100Q3 üçün hər hansı bir tələbiniz varsa, buraya kotirovka üçün bir sorğu göndərin və ya bizə bir e-poçt göndərin: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXFH18N100Q3 Məhsul keyfiyyətləri

Hissə nömrəsi : IXFH18N100Q3
İstehsalçı : IXYS
Təsvir : MOSFET N-CH 1000V 18A TO-247
Seriya : HiPerFET™
Hissə Vəziyyəti : Active
FET növü : N-Channel
Texnologiya : MOSFET (Metal Oxide)
Mənbə gərginliyinə axın (Vdss) : 1000V
Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C : 18A (Tc)
Sürət gərginliyi (Maks Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 660 mOhm @ 9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 6.5V @ 4mA
Qapı şarjı (Qg) (Max) @ Vgs : 90nC @ 10V
Vgs (Maks) : ±30V
Giriş qabiliyyəti (Ciss) (Maks) @ Vds : 4890pF @ 25V
FET Feature : -
Gücün bölüşdürülməsi (Maks) : 830W (Tc)
Əməliyyat temperaturu : -55°C ~ 150°C (TJ)
Montaj növü : Through Hole
Təchizatçı cihaz paketi : TO-247AD (IXFH)
Paket / Case : TO-247-3