Infineon Technologies - IPB160N08S403ATMA1

KEY Part #: K6418277

IPB160N08S403ATMA1 Qiymətləndirmə (USD) [57349ədəd Stok]

  • 1 pcs$0.68180
  • 1,000 pcs$0.64786

Hissə nömrəsi:
IPB160N08S403ATMA1
İstehsalçı:
Infineon Technologies
Ətraflı Təsviri:
MOSFET N-CH TO263-7.
Manufacturer's standard lead time:
Anbarda
Raf ömrü:
Bir il
Chip From:
Honq Konq
RoHS:
Ödəniş üsulu:
Göndərmə yolu:
Ailə Kateqoriyalarları:
KEY Componentlər Co, LTD məhsul kateqoriyalarını təklif edən Elektron komponentlər distribyutorudur: Transistorlar - JFETlər, Tiristorlar - DIAClar, SIDAClar, Transistorlar - Bipolyar (BJT) - RF, Tiristorlar - SCRlər, Transistorlar - IGBTs - Subay, Diodlar - Körpü Düzəldicilər, Transistorlar - Xüsusi Məqsəd and Tiristorlar - TRIACs ...
Rəqabətli üstünlük:
Infineon Technologies IPB160N08S403ATMA1 elektron komponentlərində ixtisaslaşmışıq. IPB160N08S403ATMA1 sifarişdən sonra 24 saat ərzində göndərilə bilər. IPB160N08S403ATMA1 üçün hər hansı bir tələbiniz varsa, buraya kotirovka üçün bir sorğu göndərin və ya bizə bir e-poçt göndərin: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPB160N08S403ATMA1 Məhsul keyfiyyətləri

Hissə nömrəsi : IPB160N08S403ATMA1
İstehsalçı : Infineon Technologies
Təsvir : MOSFET N-CH TO263-7
Seriya : Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
Hissə Vəziyyəti : Active
FET növü : N-Channel
Texnologiya : MOSFET (Metal Oxide)
Mənbə gərginliyinə axın (Vdss) : 80V
Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C : 160A (Tc)
Sürət gərginliyi (Maks Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3.2 mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 150µA
Qapı şarjı (Qg) (Max) @ Vgs : 112nC @ 10V
Vgs (Maks) : ±20V
Giriş qabiliyyəti (Ciss) (Maks) @ Vds : 7750pF @ 25V
FET Feature : -
Gücün bölüşdürülməsi (Maks) : 208W (Tc)
Əməliyyat temperaturu : -55°C ~ 175°C (TJ)
Montaj növü : Surface Mount
Təchizatçı cihaz paketi : PG-TO263-7-3
Paket / Case : TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)