Hissə nömrəsi :
SIR622DP-T1-GE3
İstehsalçı :
Vishay Siliconix
Təsvir :
MOSFET N-CH 150V 51.6A SO-8
Texnologiya :
MOSFET (Metal Oxide)
Mənbə gərginliyinə axın (Vdss) :
150V
Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C :
51.6A (Tc)
Sürət gərginliyi (Maks Rds On, Min Rds On) :
7.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
17.7 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4.5V @ 250µA
Qapı şarjı (Qg) (Max) @ Vgs :
31nC @ 7.5V
Giriş qabiliyyəti (Ciss) (Maks) @ Vds :
1516pF @ 75V
Gücün bölüşdürülməsi (Maks) :
104W (Tc)
Əməliyyat temperaturu :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montaj növü :
Surface Mount
Təchizatçı cihaz paketi :
PowerPAK® SO-8
Paket / Case :
PowerPAK® SO-8