Hissə nömrəsi :
TJ60S04M3L(T6L1,NQ
İstehsalçı :
Toshiba Semiconductor and Storage
Təsvir :
MOSFET P-CH 40V 60A DPAK-3
Texnologiya :
MOSFET (Metal Oxide)
Mənbə gərginliyinə axın (Vdss) :
40V
Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C :
60A (Ta)
Sürət gərginliyi (Maks Rds On, Min Rds On) :
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
6.3 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3V @ 1mA
Qapı şarjı (Qg) (Max) @ Vgs :
125nC @ 10V
Giriş qabiliyyəti (Ciss) (Maks) @ Vds :
6510pF @ 10V
Gücün bölüşdürülməsi (Maks) :
90W (Tc)
Əməliyyat temperaturu :
175°C (TJ)
Montaj növü :
Surface Mount
Təchizatçı cihaz paketi :
DPAK+
Paket / Case :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63