Infineon Technologies - IRFR120Z

KEY Part #: K6412797

[13321ədəd Stok]


    Hissə nömrəsi:
    IRFR120Z
    İstehsalçı:
    Infineon Technologies
    Ətraflı Təsviri:
    MOSFET N-CH 100V 8.7A DPAK.
    Manufacturer's standard lead time:
    Anbarda
    Raf ömrü:
    Bir il
    Chip From:
    Honq Konq
    RoHS:
    Ödəniş üsulu:
    Göndərmə yolu:
    Ailə Kateqoriyalarları:
    KEY Componentlər Co, LTD məhsul kateqoriyalarını təklif edən Elektron komponentlər distribyutorudur: Güc Sürücü Modulları, Tiristorlar - TRIACs, Transistorlar - FET, MOSFETlər - RF, Diodlar - Zener - Diziler, Diodlar - Düzləşdiricilər - Diziler, Diodlar - Düzəldicilər - Tək, Transistorlar - Bipolyar (BJT) - Tək and Transistorlar - Bipolyar (BJT) - RF ...
    Rəqabətli üstünlük:
    Infineon Technologies IRFR120Z elektron komponentlərində ixtisaslaşmışıq. IRFR120Z sifarişdən sonra 24 saat ərzində göndərilə bilər. IRFR120Z üçün hər hansı bir tələbiniz varsa, buraya kotirovka üçün bir sorğu göndərin və ya bizə bir e-poçt göndərin: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    IRFR120Z Məhsul keyfiyyətləri

    Hissə nömrəsi : IRFR120Z
    İstehsalçı : Infineon Technologies
    Təsvir : MOSFET N-CH 100V 8.7A DPAK
    Seriya : HEXFET®
    Hissə Vəziyyəti : Obsolete
    FET növü : N-Channel
    Texnologiya : MOSFET (Metal Oxide)
    Mənbə gərginliyinə axın (Vdss) : 100V
    Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C : 8.7A (Tc)
    Sürət gərginliyi (Maks Rds On, Min Rds On) : 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 190 mOhm @ 5.2A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
    Qapı şarjı (Qg) (Max) @ Vgs : 10nC @ 10V
    Vgs (Maks) : ±20V
    Giriş qabiliyyəti (Ciss) (Maks) @ Vds : 310pF @ 25V
    FET Feature : -
    Gücün bölüşdürülməsi (Maks) : 35W (Tc)
    Əməliyyat temperaturu : -55°C ~ 175°C (TJ)
    Montaj növü : Surface Mount
    Təchizatçı cihaz paketi : D-Pak
    Paket / Case : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63