Vishay Semiconductor Diodes Division - ES2A-M3/52T

KEY Part #: K6457930

ES2A-M3/52T Qiymətləndirmə (USD) [771501ədəd Stok]

  • 1 pcs$0.05059
  • 10,500 pcs$0.05034

Hissə nömrəsi:
ES2A-M3/52T
İstehsalçı:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Ətraflı Təsviri:
DIODE GEN PURP 50V 2A DO214AA. Rectifiers 2A,50V,20NS,UF Rect,SMD
Manufacturer's standard lead time:
Anbarda
Raf ömrü:
Bir il
Chip From:
Honq Konq
RoHS:
Ödəniş üsulu:
Göndərmə yolu:
Ailə Kateqoriyalarları:
KEY Componentlər Co, LTD məhsul kateqoriyalarını təklif edən Elektron komponentlər distribyutorudur: Transistorlar - IGBTs - Subay, Diodlar - Zener - Subay, Transistorlar - Bipolyar (BJT) - Tək, Qeyri-qərəzl, Diodlar - Dəyişən Kapasitans (Varikaplar, Varaktor, Tiristorlar - SCRlər, Diodlar - Düzləşdiricilər - Diziler, Transistorlar - Bipolyar (BJT) - RF and Diodlar - Düzəldicilər - Tək ...
Rəqabətli üstünlük:
Vishay Semiconductor Diodes Division ES2A-M3/52T elektron komponentlərində ixtisaslaşmışıq. ES2A-M3/52T sifarişdən sonra 24 saat ərzində göndərilə bilər. ES2A-M3/52T üçün hər hansı bir tələbiniz varsa, buraya kotirovka üçün bir sorğu göndərin və ya bizə bir e-poçt göndərin: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

ES2A-M3/52T Məhsul keyfiyyətləri

Hissə nömrəsi : ES2A-M3/52T
İstehsalçı : Vishay Semiconductor Diodes Division
Təsvir : DIODE GEN PURP 50V 2A DO214AA
Seriya : -
Hissə Vəziyyəti : Active
Diod növü : Standard
Gərginlik - DC tərs (Vr) (Maks) : 50V
Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) : 2A
Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ Əgər : 900mV @ 2A
Sürət : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Geri Bərpa Vaxtı (trr) : 30ns
Cari - Tərs Sızma @ Vr : 10µA @ 50V
Kapasitans @ Vr, F : 18pF @ 4V, 1MHz
Montaj növü : Surface Mount
Paket / Case : DO-214AA, SMB
Təchizatçı cihaz paketi : DO-214AA (SMB)
Əməliyyat temperaturu - qovşaq : -55°C ~ 150°C

Maraqlı ola bilərsiniz
  • RGL34B-E3/98

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 100V 500MA DO213. Diodes - General Purpose, Power, Switching 100 Volt 0.5A 150ns 10 Amp IFSM

  • RGL34D-E3/83

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 200V 500MA DO213. Diodes - General Purpose, Power, Switching 200 Volt 0.5A 150ns 10 Amp IFSM

  • RGL34B-E3/83

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 100V 500MA DO213. Diodes - General Purpose, Power, Switching 100 Volt 0.5A 150ns 10 Amp IFSM

  • RGL34J-E3/83

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 500MA DO213. Diodes - General Purpose, Power, Switching 600 Volt 0.5A 250ns 10 Amp IFSM

  • BYM07-200-E3/98

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 200V 500MA DO213. Rectifiers 0.5 Amp 200 Volt

  • BYM07-100-E3/98

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 100V 500MA DO213. Rectifiers 0.5 Amp 100 Volt