RGL34J-E3/83 Qiymətləndirmə (USD) [730465ədəd Stok]
- 1 pcs$0.05343
- 9,000 pcs$0.05317
- Hissə nömrəsi:
- RGL34J-E3/83
- İstehsalçı:
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- Ətraflı Təsviri:
- DIODE GEN PURP 600V 500MA DO213. Diodes - General Purpose, Power, Switching 600 Volt 0.5A 250ns 10 Amp IFSM
- Manufacturer's standard lead time:
- Anbarda
- Raf ömrü:
- Bir il
- Chip From:
- Honq Konq
- RoHS:
- Ödəniş üsulu:
-
- Göndərmə yolu:
- Ailə Kateqoriyalarları:
- KEY Componentlər Co, LTD məhsul kateqoriyalarını təklif edən Elektron komponentlər distribyutorudur: Transistorlar - FET, MOSFETlər - Tək, Diodlar - Düzəldicilər - Tək, Tiristorlar - DIAClar, SIDAClar, Transistorlar - Bipolyar (BJT) - Tək, Transistorlar - Proqramlaşdırıla bilən Birlik, Transistorlar - IGBTs - Modullar, Diodlar - Körpü Düzəldicilər and Transistorlar - IGBTs - Subay ...
- Rəqabətli üstünlük:
- Vishay Semiconductor Diodes Division RGL34J-E3/83 elektron komponentlərində ixtisaslaşmışıq. RGL34J-E3/83 sifarişdən sonra 24 saat ərzində göndərilə bilər. RGL34J-E3/83 üçün hər hansı bir tələbiniz varsa, buraya kotirovka üçün bir sorğu göndərin və ya bizə bir e-poçt göndərin: rfq@key-components.com
RGL34J-E3/83 Məhsul keyfiyyətləri
Hissə nömrəsi :
RGL34J-E3/83
İstehsalçı :
Vishay Semiconductor Diodes Division
Təsvir :
DIODE GEN PURP 600V 500MA DO213
Seriya :
SUPERECTIFIER®
Hissə Vəziyyəti :
Active
Diod növü :
Standard
Gərginlik - DC tərs (Vr) (Maks) :
600V
Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) :
500mA
Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ Əgər :
1.3V @ 500mA
Sürət :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Geri Bərpa Vaxtı (trr) :
250ns
Cari - Tərs Sızma @ Vr :
5µA @ 600V
Kapasitans @ Vr, F :
4pF @ 4V, 1MHz
Montaj növü :
Surface Mount
Paket / Case :
DO-213AA (Glass)
Təchizatçı cihaz paketi :
DO-213AA (GL34)
Əməliyyat temperaturu - qovşaq :
-65°C ~ 175°C
Son xəbərlər
Maraqlı ola bilərsiniz
-
RGL34G-E3/98
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 400V 500MA DO213. Diodes - General Purpose, Power, Switching 400 Volt 0.5A 150ns 10 Amp IFSM
-
BYM07-300-E3/83
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 300V 500MA DO213. Rectifiers 300 Volt 0.5A 50ns Glass Passivated
-
BYM07-50-E3/98
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 50V 500MA DO213AA. Rectifiers 50 Volt 0.5A 50ns Glass Passivated
-
EGL34C-E3/98
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 150V 500MA DO213. Rectifiers 0.5Amp 150 Volt 50ns
-
EGL34F-E3/98
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 300V 500MA DO213. Rectifiers 0.5Amp 300 Volt 50ns
-
EGL34A-E3/83
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 50V 500MA DO213AA. Rectifiers 0.5 Amp 50 Volt 50ns
İsti hissələr
- IDT06S60CHKSA1
- GP10A-5016M3/54
- 1N4006GPE-M3/73
- D740N36TXPSA1
- UF4005 BK
- JANS1N6677UR-1
- BA157GP-M3/54
- GP02-40-M3/73
- 1N4004GPE-E3/93
- RU 4DS
- VS-MBRD330TRLPBF
- SK310B/TR13
- SB10-05A3-BT
- DLA11C-TR-E
- GPA804-BP
- 1N5401-AP
- SS32HE3/57T
- SS25HE3/52T
- SS320HE-TP
- RJU6053WDPP-M0#T2
- S3GHE3/57T
- RS3BHE3/9AT
- RGP5020-E3/54
- GPP15M-E3/54
- GI917-E3/54
- FGP30D-E3/73
- MBRD835L
- MR856
- MBRS3201T3
- SIDC53D120H6X1SA3
- VS-MUR1520PBF
- 80EPS08
- S3AB-13
- FR1J-LTP
- D255K06BXPSA1
- STPSC5H12D
- RGF1D-E3/67A
- RB068LAM150TR
- RF01VM2STE-17
- LS103A-GS18
选择你的位置