Toshiba Semiconductor and Storage - TK32E12N1,S1X

KEY Part #: K6399036

TK32E12N1,S1X Qiymətləndirmə (USD) [66326ədəd Stok]

  • 1 pcs$0.64806
  • 50 pcs$0.51895
  • 100 pcs$0.45410
  • 500 pcs$0.33312
  • 1,000 pcs$0.26299

Hissə nömrəsi:
TK32E12N1,S1X
İstehsalçı:
Toshiba Semiconductor and Storage
Ətraflı Təsviri:
MOSFET N CH 120V 60A TO-220.
Manufacturer's standard lead time:
Anbarda
Raf ömrü:
Bir il
Chip From:
Honq Konq
RoHS:
Ödəniş üsulu:
Göndərmə yolu:
Ailə Kateqoriyalarları:
KEY Componentlər Co, LTD məhsul kateqoriyalarını təklif edən Elektron komponentlər distribyutorudur: Transistorlar - Bipolyar (BJT) - Tək, Diodlar - Düzəldicilər - Tək, Tiristorlar - SCR - Modullar, Transistorlar - JFETlər, Transistorlar - Bipolyar (BJT) - Ardıcıllıqlar, Güc Sürücü Modulları, Diodlar - Dəyişən Kapasitans (Varikaplar, Varaktor and Transistorlar - FET, MOSFETlər - RF ...
Rəqabətli üstünlük:
Toshiba Semiconductor and Storage TK32E12N1,S1X elektron komponentlərində ixtisaslaşmışıq. TK32E12N1,S1X sifarişdən sonra 24 saat ərzində göndərilə bilər. TK32E12N1,S1X üçün hər hansı bir tələbiniz varsa, buraya kotirovka üçün bir sorğu göndərin və ya bizə bir e-poçt göndərin: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

TK32E12N1,S1X Məhsul keyfiyyətləri

Hissə nömrəsi : TK32E12N1,S1X
İstehsalçı : Toshiba Semiconductor and Storage
Təsvir : MOSFET N CH 120V 60A TO-220
Seriya : U-MOSVIII-H
Hissə Vəziyyəti : Active
FET növü : N-Channel
Texnologiya : MOSFET (Metal Oxide)
Mənbə gərginliyinə axın (Vdss) : 120V
Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C : 60A (Tc)
Sürət gərginliyi (Maks Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 13.8 mOhm @ 16A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 500µA
Qapı şarjı (Qg) (Max) @ Vgs : 34nC @ 10V
Vgs (Maks) : ±20V
Giriş qabiliyyəti (Ciss) (Maks) @ Vds : 2000pF @ 60V
FET Feature : -
Gücün bölüşdürülməsi (Maks) : 98W (Tc)
Əməliyyat temperaturu : 150°C (TJ)
Montaj növü : Through Hole
Təchizatçı cihaz paketi : TO-220
Paket / Case : TO-220-3

Maraqlı ola bilərsiniz
  • TP0620N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET P-CH 200V 0.175A TO92-3.

  • TN0606N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 60V 500MA TO92-3.

  • VN2450N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 500V 0.2A TO92-3.

  • ZVN4306A

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 60V 1.1A TO92-3.

  • TN0620N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 200V 0.25A TO92-3.

  • VN2410L-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 240V 0.19A TO92-3.