Yeriniz siyahıda deyilsə, aşağıdakılardan birini seçin:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

Yeriniz siyahıda deyilsə, aşağıdakılardan birini seçin:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. Ev
  2. Məhsullar
  3. DRAM
  4. DDR3
  5. K4B4G1646D-BCK0

Samsung Semiconductor - K4B4G1646D-BCK0

KEY Part #: K7359688

[18022ədəd Stok]

    Hissə nömrəsi:
    K4B4G1646D-BCK0
    İstehsalçı:
    Samsung Semiconductor
    Ətraflı Təsviri:
    4 Gb 256M x 16 1600 Mbps 1.5 V 0 ~ 85 °C 96FBGA Mass Production.
    Manufacturer's standard lead time:
    Anbarda
    Raf ömrü:
    Bir il
    Chip From:
    Honq Konq
    RoHS:
    Ödəniş üsulu:
    Göndərmə yolu:
    Ailə Kateqoriyalarları:
    KEY Componentlər Co, LTD məhsul kateqoriyalarını təklif edən Elektron komponentlər distribyutorudur: HBM Aquabolt, LPDDR3, LPDDR4, MODULE, LPDDR5, HBM Flarebolt, GDDR6 and DDR3 ...
    Rəqabətli üstünlük:
    Samsung Semiconductor K4B4G1646D-BCK0 elektron komponentlərində ixtisaslaşmışıq. K4B4G1646D-BCK0 sifarişdən sonra 24 saat ərzində göndərilə bilər. K4B4G1646D-BCK0 üçün hər hansı bir tələbiniz varsa, buraya kotirovka üçün bir sorğu göndərin və ya bizə bir e-poçt göndərin: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    K4B4G1646D-BCK0 Məhsul keyfiyyətləri

    Hissə nömrəsi : K4B4G1646D-BCK0
    İstehsalçı : Samsung Semiconductor
    Təsvir : 4 Gb 256M x 16 1600 Mbps 1.5 V 0 ~ 85 °C 96FBGA Mass Production
    Seriya : DDR3
    sıxlıq : 4 Gb
    Org. : 256M x 16
    sürət : 1600 Mbps
    voltaj : 1.5 V
    Temp. : 0 ~ 85 °C
    Paket : 96FBGA
    Product Status : Mass Production

    Son xəbərlər

    Driving the Artificial Intelligence Evolution with In-Memory Computing
    Samsung Electronics Introduces New High Bandwidth Memory Technology Tailored to Data Centers, Graphic Applications, and AI
    Automotive Driven by Small Packages Under the Hood
    The Ultra-Low Latency SSD, Z-SSD
    Samsung Electronics Starts Mass Producing Industry’s First 8-Gigabit Graphics DRAM (GDDR5)
    Samsung Showcases Its Latest Silicon Technologies for the Next Wave of Innovation at Annual Tech Day
    Speed for the next generation of mobile devices
    Bringing Artificial Intelligence to Devices Everywhere
    Samsung Enhances Functional Safety to its Automotive Semiconductors with ISO 26262 Certification
    SSDs, DRAM and gaming: Unlocking a new level of performance
    [Video] The Future of Autonomous Driving: Samsung’s Memory Component Solutions
    High Bandwidth Memory is Catching on for Data-intensive Computing
    Maraqlı ola bilərsiniz
    • M378A1K43BB1-CPB

      Samsung Semiconductor

      DDR4 UDIMM 8 GB 1R x 8 2133 Mbps 1.2 V 288 (1G x 8) x 8 EOL announced.

    • M378A1K43BB2-CRC

      Samsung Semiconductor

      DDR4 UDIMM 8 GB 1R x 8 2400 Mbps 1.2 V 288 (1G x 8) x 8 EOL announced.

    • M378A1K43BB2-CTD

      Samsung Semiconductor

      DDR4 UDIMM 8 GB 1R x 8 2666 Mbps 1.2 V 288 (1G x 8) x 8 EOL announced.

    • K3UH5H50AM-AGCL

      Samsung Semiconductor

      32 Gb x64 4266 Mbps 1.8 / 1.1 / 0.6 V -25 ~ 85 °C 556FBGA Mass Production.

    • K3UH5H50AM-EGCL

      Samsung Semiconductor

      32 Gb x64 4266 Mbps 1.8 / 1.1 / 0.6 V -25 ~ 85 °C 376FBGA Mass Production.

    • K3UH5H50AM-JGCL

      Samsung Semiconductor

      32 Gb x64 4266 Mbps 1.8 / 1.1 / 0.6 V -25 ~ 85 °C 432FBGA Mass Production.

    İsti hissələr