IXYS - IXFN26N100P

KEY Part #: K6394816

IXFN26N100P Qiymətləndirmə (USD) [2433ədəd Stok]

  • 1 pcs$18.77645
  • 10 pcs$18.68304

Hissə nömrəsi:
IXFN26N100P
İstehsalçı:
IXYS
Ətraflı Təsviri:
MOSFET N-CH 1000V 23A SOT-227B.
Manufacturer's standard lead time:
Anbarda
Raf ömrü:
Bir il
Chip From:
Honq Konq
RoHS:
Ödəniş üsulu:
Göndərmə yolu:
Ailə Kateqoriyalarları:
KEY Componentlər Co, LTD məhsul kateqoriyalarını təklif edən Elektron komponentlər distribyutorudur: Diodlar - Düzləşdiricilər - Diziler, Güc Sürücü Modulları, Tiristorlar - DIAClar, SIDAClar, Transistorlar - IGBTs - Modullar, Diodlar - Körpü Düzəldicilər, Transistorlar - JFETlər, Transistorlar - Bipolyar (BJT) - Tək and Tiristorlar - SCR - Modullar ...
Rəqabətli üstünlük:
IXYS IXFN26N100P elektron komponentlərində ixtisaslaşmışıq. IXFN26N100P sifarişdən sonra 24 saat ərzində göndərilə bilər. IXFN26N100P üçün hər hansı bir tələbiniz varsa, buraya kotirovka üçün bir sorğu göndərin və ya bizə bir e-poçt göndərin: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXFN26N100P Məhsul keyfiyyətləri

Hissə nömrəsi : IXFN26N100P
İstehsalçı : IXYS
Təsvir : MOSFET N-CH 1000V 23A SOT-227B
Seriya : Polar™
Hissə Vəziyyəti : Active
FET növü : N-Channel
Texnologiya : MOSFET (Metal Oxide)
Mənbə gərginliyinə axın (Vdss) : 1000V
Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C : 23A (Tc)
Sürət gərginliyi (Maks Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 390 mOhm @ 13A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 6.5V @ 1mA
Qapı şarjı (Qg) (Max) @ Vgs : 197nC @ 10V
Vgs (Maks) : ±30V
Giriş qabiliyyəti (Ciss) (Maks) @ Vds : 11900pF @ 25V
FET Feature : -
Gücün bölüşdürülməsi (Maks) : 595W (Tc)
Əməliyyat temperaturu : -55°C ~ 150°C (TJ)
Montaj növü : Chassis Mount
Təchizatçı cihaz paketi : SOT-227B
Paket / Case : SOT-227-4, miniBLOC