IXYS - IXTA80N12T2

KEY Part #: K6395111

IXTA80N12T2 Qiymətləndirmə (USD) [41564ədəd Stok]

  • 1 pcs$1.03997
  • 50 pcs$1.03480

Hissə nömrəsi:
IXTA80N12T2
İstehsalçı:
IXYS
Ətraflı Təsviri:
MOSFET N-CH 120V 80A TO-263.
Manufacturer's standard lead time:
Anbarda
Raf ömrü:
Bir il
Chip From:
Honq Konq
RoHS:
Ödəniş üsulu:
Göndərmə yolu:
Ailə Kateqoriyalarları:
KEY Componentlər Co, LTD məhsul kateqoriyalarını təklif edən Elektron komponentlər distribyutorudur: Transistorlar - JFETlər, Transistorlar - Bipolyar (BJT) - Ardıcıllıqlar, Transistorlar - IGBTs - Modullar, Transistorlar - Bipolyar (BJT) - Seriallar, Qeyri-, Diodlar - Düzəldicilər - Tək, Transistorlar - IGBTs - seriallar, Transistorlar - Bipolyar (BJT) - Tək and Diodlar - RF ...
Rəqabətli üstünlük:
IXYS IXTA80N12T2 elektron komponentlərində ixtisaslaşmışıq. IXTA80N12T2 sifarişdən sonra 24 saat ərzində göndərilə bilər. IXTA80N12T2 üçün hər hansı bir tələbiniz varsa, buraya kotirovka üçün bir sorğu göndərin və ya bizə bir e-poçt göndərin: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXTA80N12T2 Məhsul keyfiyyətləri

Hissə nömrəsi : IXTA80N12T2
İstehsalçı : IXYS
Təsvir : MOSFET N-CH 120V 80A TO-263
Seriya : TrenchT2™
Hissə Vəziyyəti : Active
FET növü : N-Channel
Texnologiya : MOSFET (Metal Oxide)
Mənbə gərginliyinə axın (Vdss) : 120V
Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C : 80A (Tc)
Sürət gərginliyi (Maks Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 17 mOhm @ 40A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Qapı şarjı (Qg) (Max) @ Vgs : 80nC @ 10V
Vgs (Maks) : ±20V
Giriş qabiliyyəti (Ciss) (Maks) @ Vds : 4740pF @ 25V
FET Feature : -
Gücün bölüşdürülməsi (Maks) : 325W (Tc)
Əməliyyat temperaturu : -55°C ~ 175°C (TJ)
Montaj növü : Surface Mount
Təchizatçı cihaz paketi : TO-263 (IXTA)
Paket / Case : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB