IXYS - IXFN120N65X2

KEY Part #: K6395031

IXFN120N65X2 Qiymətləndirmə (USD) [3344ədəd Stok]

  • 1 pcs$14.25111
  • 10 pcs$13.18042
  • 100 pcs$11.25689

Hissə nömrəsi:
IXFN120N65X2
İstehsalçı:
IXYS
Ətraflı Təsviri:
MOSFET N-CH 650V 108A SOT-227.
Manufacturer's standard lead time:
Anbarda
Raf ömrü:
Bir il
Chip From:
Honq Konq
RoHS:
Ödəniş üsulu:
Göndərmə yolu:
Ailə Kateqoriyalarları:
KEY Componentlər Co, LTD məhsul kateqoriyalarını təklif edən Elektron komponentlər distribyutorudur: Transistorlar - Bipolyar (BJT) - Tək, Diodlar - Körpü Düzəldicilər, Tiristorlar - SCRlər, Transistorlar - Bipolyar (BJT) - Tək, Qeyri-qərəzl, Transistorlar - Proqramlaşdırıla bilən Birlik, Güc Sürücü Modulları, Tiristorlar - SCR - Modullar and Tiristorlar - DIAClar, SIDAClar ...
Rəqabətli üstünlük:
IXYS IXFN120N65X2 elektron komponentlərində ixtisaslaşmışıq. IXFN120N65X2 sifarişdən sonra 24 saat ərzində göndərilə bilər. IXFN120N65X2 üçün hər hansı bir tələbiniz varsa, buraya kotirovka üçün bir sorğu göndərin və ya bizə bir e-poçt göndərin: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXFN120N65X2 Məhsul keyfiyyətləri

Hissə nömrəsi : IXFN120N65X2
İstehsalçı : IXYS
Təsvir : MOSFET N-CH 650V 108A SOT-227
Seriya : HiPerFET™
Hissə Vəziyyəti : Active
FET növü : N-Channel
Texnologiya : MOSFET (Metal Oxide)
Mənbə gərginliyinə axın (Vdss) : 650V
Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C : 108A (Tc)
Sürət gərginliyi (Maks Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 24 mOhm @ 54A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5.5V @ 8mA
Qapı şarjı (Qg) (Max) @ Vgs : 225nC @ 10V
Vgs (Maks) : ±30V
Giriş qabiliyyəti (Ciss) (Maks) @ Vds : 15500pF @ 25V
FET Feature : -
Gücün bölüşdürülməsi (Maks) : 890W (Tc)
Əməliyyat temperaturu : -55°C ~ 150°C (TJ)
Montaj növü : Chassis Mount
Təchizatçı cihaz paketi : SOT-227B
Paket / Case : SOT-227-4, miniBLOC