IXYS - IXFA4N100P

KEY Part #: K6394827

IXFA4N100P Qiymətləndirmə (USD) [40352ədəd Stok]

  • 1 pcs$1.18043
  • 50 pcs$1.17455

Hissə nömrəsi:
IXFA4N100P
İstehsalçı:
IXYS
Ətraflı Təsviri:
MOSFET N-CH 1000V 4A D2PAK.
Manufacturer's standard lead time:
Anbarda
Raf ömrü:
Bir il
Chip From:
Honq Konq
RoHS:
Ödəniş üsulu:
Göndərmə yolu:
Ailə Kateqoriyalarları:
KEY Componentlər Co, LTD məhsul kateqoriyalarını təklif edən Elektron komponentlər distribyutorudur: Diodlar - Zener - Subay, Tiristorlar - SCR - Modullar, Diodlar - Düzləşdiricilər - Diziler, Güc Sürücü Modulları, Transistorlar - IGBTs - seriallar, Transistorlar - IGBTs - Subay, Transistorlar - IGBTs - Modullar and Transistorlar - Bipolyar (BJT) - Seriallar, Qeyri- ...
Rəqabətli üstünlük:
IXYS IXFA4N100P elektron komponentlərində ixtisaslaşmışıq. IXFA4N100P sifarişdən sonra 24 saat ərzində göndərilə bilər. IXFA4N100P üçün hər hansı bir tələbiniz varsa, buraya kotirovka üçün bir sorğu göndərin və ya bizə bir e-poçt göndərin: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXFA4N100P Məhsul keyfiyyətləri

Hissə nömrəsi : IXFA4N100P
İstehsalçı : IXYS
Təsvir : MOSFET N-CH 1000V 4A D2PAK
Seriya : HiPerFET™, PolarP2™
Hissə Vəziyyəti : Active
FET növü : N-Channel
Texnologiya : MOSFET (Metal Oxide)
Mənbə gərginliyinə axın (Vdss) : 1000V
Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C : 4A (Tc)
Sürət gərginliyi (Maks Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3.3 Ohm @ 2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 250µA
Qapı şarjı (Qg) (Max) @ Vgs : 26nC @ 10V
Vgs (Maks) : ±20V
Giriş qabiliyyəti (Ciss) (Maks) @ Vds : 1456pF @ 25V
FET Feature : -
Gücün bölüşdürülməsi (Maks) : 150W (Tc)
Əməliyyat temperaturu : -55°C ~ 150°C (TJ)
Montaj növü : Surface Mount
Təchizatçı cihaz paketi : TO-263 (IXFA)
Paket / Case : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB