IXYS - IXTP1R4N120P

KEY Part #: K6394534

IXTP1R4N120P Qiymətləndirmə (USD) [30561ədəd Stok]

  • 1 pcs$1.55858
  • 50 pcs$1.55082

Hissə nömrəsi:
IXTP1R4N120P
İstehsalçı:
IXYS
Ətraflı Təsviri:
MOSFET N-CH 1200V 1.4A TO-220.
Manufacturer's standard lead time:
Anbarda
Raf ömrü:
Bir il
Chip From:
Honq Konq
RoHS:
Ödəniş üsulu:
Göndərmə yolu:
Ailə Kateqoriyalarları:
KEY Componentlər Co, LTD məhsul kateqoriyalarını təklif edən Elektron komponentlər distribyutorudur: Transistorlar - Proqramlaşdırıla bilən Birlik, Transistorlar - Bipolyar (BJT) - Tək, Qeyri-qərəzl, Transistorlar - IGBTs - Modullar, Diodlar - Zener - Diziler, Transistorlar - IGBTs - seriallar, Transistorlar - Xüsusi Məqsəd, Diodlar - Dəyişən Kapasitans (Varikaplar, Varaktor and Diodlar - RF ...
Rəqabətli üstünlük:
IXYS IXTP1R4N120P elektron komponentlərində ixtisaslaşmışıq. IXTP1R4N120P sifarişdən sonra 24 saat ərzində göndərilə bilər. IXTP1R4N120P üçün hər hansı bir tələbiniz varsa, buraya kotirovka üçün bir sorğu göndərin və ya bizə bir e-poçt göndərin: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXTP1R4N120P Məhsul keyfiyyətləri

Hissə nömrəsi : IXTP1R4N120P
İstehsalçı : IXYS
Təsvir : MOSFET N-CH 1200V 1.4A TO-220
Seriya : Polar™
Hissə Vəziyyəti : Active
FET növü : N-Channel
Texnologiya : MOSFET (Metal Oxide)
Mənbə gərginliyinə axın (Vdss) : 1200V
Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C : 1.4A (Tc)
Sürət gərginliyi (Maks Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 13 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 100µA
Qapı şarjı (Qg) (Max) @ Vgs : 24.8nC @ 10V
Vgs (Maks) : ±20V
Giriş qabiliyyəti (Ciss) (Maks) @ Vds : 666pF @ 25V
FET Feature : -
Gücün bölüşdürülməsi (Maks) : 86W (Tc)
Əməliyyat temperaturu : -55°C ~ 150°C (TJ)
Montaj növü : Through Hole
Təchizatçı cihaz paketi : TO-220AB
Paket / Case : TO-220-3