Vishay Siliconix - SIA777EDJ-T1-GE3

KEY Part #: K6522100

SIA777EDJ-T1-GE3 Qiymətləndirmə (USD) [406296ədəd Stok]

  • 1 pcs$0.09149
  • 3,000 pcs$0.09104

Hissə nömrəsi:
SIA777EDJ-T1-GE3
İstehsalçı:
Vishay Siliconix
Ətraflı Təsviri:
MOSFET N/P-CH 20V/12V SC70-6L.
Manufacturer's standard lead time:
Anbarda
Raf ömrü:
Bir il
Chip From:
Honq Konq
RoHS:
Ödəniş üsulu:
Göndərmə yolu:
Ailə Kateqoriyalarları:
KEY Componentlər Co, LTD məhsul kateqoriyalarını təklif edən Elektron komponentlər distribyutorudur: Diodlar - RF, Diodlar - Düzləşdiricilər - Diziler, Transistorlar - IGBTs - Modullar, Tiristorlar - SCRlər, Diodlar - Zener - Diziler, Transistorlar - FETTlər, MOSFETlər - seriallar, Transistorlar - Xüsusi Məqsəd and Transistorlar - IGBTs - Subay ...
Rəqabətli üstünlük:
Vishay Siliconix SIA777EDJ-T1-GE3 elektron komponentlərində ixtisaslaşmışıq. SIA777EDJ-T1-GE3 sifarişdən sonra 24 saat ərzində göndərilə bilər. SIA777EDJ-T1-GE3 üçün hər hansı bir tələbiniz varsa, buraya kotirovka üçün bir sorğu göndərin və ya bizə bir e-poçt göndərin: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SIA777EDJ-T1-GE3 Məhsul keyfiyyətləri

Hissə nömrəsi : SIA777EDJ-T1-GE3
İstehsalçı : Vishay Siliconix
Təsvir : MOSFET N/P-CH 20V/12V SC70-6L
Seriya : TrenchFET®
Hissə Vəziyyəti : Active
FET növü : N and P-Channel
FET Feature : Logic Level Gate
Mənbə gərginliyinə axın (Vdss) : 20V, 12V
Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C : 1.5A, 4.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 225 mOhm @ 1.6A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 250µA
Qapı şarjı (Qg) (Max) @ Vgs : 2.2nC @ 5V
Giriş qabiliyyəti (Ciss) (Maks) @ Vds : -
Gücü - Maks : 5W, 7.8W
Əməliyyat temperaturu : -55°C ~ 150°C (TJ)
Montaj növü : Surface Mount
Paket / Case : PowerPAK® SC-70-6 Dual
Təchizatçı cihaz paketi : PowerPAK® SC-70-6 Dual